|
STFILED625 даташитФункция этой детали – «N-channel Power Mosfet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
STFILED625 | STMicroelectronics |
N-channel Power MOSFET STFILED625, STPLED625
N-channel 620 V, 1.28 Ω typ., 5.0 A Power MOSFET in I2PAKFP and TO-220 packages
Datasheet − preliminary data
Features
Order codes VDS
RDS(on) max
ID PTOT
uct(s)1 2 3 rodI²PAKFP
TAB
3 2 1
TO-220
olete PFigure 1. Internal schematic diagram bsD(2,TAB)
ct(s) - OG(1)
lete ProduS(3) Obso AM01476v1
STFILED625 620 V
STPLED625
1.6 Ω
25 W 5.0 A
70 W
• 100% avalanche tested • Extremely high dv/dt capability • Gate charge minimized • Very low intrinsic capacitance • Improved diode |
|
STFILED625H | STMicroelectronics |
N-channel Power MOSFET STFILED625H, STPLED625H, STULED625H
N-channel 650 V, 1.7 Ω typ., 4.5 A Power MOSFET in I2PAKFP, TO-220 and IPAK packages
Datasheet − production data
Features
Order codes
VDS
RDS(on) max
ID PTOT
)1 t(s2 3
TAB I²PAKFP
roduc3
2 1
te PTO-220
TAB
IPAK
3
2 1
oleFigure 1. Internal schematic diagram bsD(2,TAB)
ct(s) - OG(1)
lete ProduS(3) Obso AM01476v1
STFILED625H
25 W
STPLED625H 620 V 2 Ω 6.0 A 70 W
STULED625H
• 100% avalanche tested • Extremely high dv/dt capability • Gate charge minimized • Ver |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |