|
STD2NA60 даташитФункция этой детали – «N-channel Mosfet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
STD2NA60 | ST Microelectronics |
N-CHANNEL MOSFET STD2NA60
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
TYPE STD2NA60
s s s s s
V DSS 600 V
R DS( on) < 4Ω
ID 2.3 A
s
s
TYPICAL RDS(on) = 3.3 Ω AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY 100% AVALANCHE TESTED REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER PACKAGE IN TUBE (SUFFIX ”-1”) SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252) POWER PACKAGE IN TAPE & REEL (SUFFIX ”T4”)
3 1
IPAK TO-251 (Suffix ”-1”)
2
1
DPAK TO-252
3
(Suffix ”T4”)
APPLICATIONS HIGH SPEED S |
Это результат поиска, начинающийся с "2NA60", "STD2N" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
H12NA60 | STMicroelectronics |
STH12NA60 STH12NA60/FI STW12NA60
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
TYPE
STH12NA60 STH12NA60FI STW12NA60
VDSS
600 V 600 V 600 V
R DS( on)
< 0.6 Ω < 0.6 Ω < 0.6 Ω
ID
12 A 7A 12 A
s TYPICAL RDS(on) = 0.44 Ω s ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING s 100% AVALAN |
|
P2NA60 | Pan Jit |
PJP2NA60 PPJU2NA60 / PJP2NA60 / PJF2NA60 / PJD2NA60
600V N-Channel MOSFET
Voltage Features
RDS(ON), VGS@10V,ID@1A<4.4Ω High switching speed Improved dv/dt capability Low Gate Charge Low reverse transfer capacitance Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU |
|
PJD2NA60 | Pan Jit International |
600V N-Channel MOSFET PPJU2NA60 / PJP2NA60 / PJF2NA60 / PJD2NA60
600V N-Channel MOSFET
Voltage Features
RDS(ON), VGS@10V,ID@1A<4.4Ω High switching speed Improved dv/dt capability Low Gate Charge Low reverse transfer capacitance Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU |
|
PJF2NA60 | Pan Jit International |
600V N-Channel MOSFET PPJU2NA60 / PJP2NA60 / PJF2NA60 / PJD2NA60
600V N-Channel MOSFET
Voltage Features
RDS(ON), VGS@10V,ID@1A<4.4Ω High switching speed Improved dv/dt capability Low Gate Charge Low reverse transfer capacitance Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU |
|
PJP2NA60 | Pan Jit International |
600V N-Channel MOSFET PPJU2NA60 / PJP2NA60 / PJF2NA60 / PJD2NA60
600V N-Channel MOSFET
Voltage Features
RDS(ON), VGS@10V,ID@1A<4.4Ω High switching speed Improved dv/dt capability Low Gate Charge Low reverse transfer capacitance Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU |
|
PJU2NA60 | Pan Jit International |
600V N-Channel MOSFET PPJU2NA60 / PJP2NA60 / PJF2NA60 / PJD2NA60
600V N-Channel MOSFET
Voltage Features
RDS(ON), VGS@10V,ID@1A<4.4Ω High switching speed Improved dv/dt capability Low Gate Charge Low reverse transfer capacitance Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |