DataSheet26.com


SPD03N60S5 даташит

Функция этой детали – «Cool Mos Power Transistor».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
SPD03N60S5 Infineon Technologies
Infineon Technologies
  Cool MOS Power Transistor

SPU03N60S5 SPD03N60S5 Cool MOS™ Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • Ultra low effective capacitances • Improved transconductance VDS RDS(on) ID P-TO252. 2 3 1 600 1.4 3.2 P-TO251. V Ω A 1 2 3 Type Package Ordering Code SPU03N60S5 SPD03N60S5 P-TO251. P-TO252. Q67040-S4227 Q67040-S4187 Marking 03N60S5 03N60S5 Maximum Ratings Parameter Continuous drain current TC = 25 °C TC = 100 °C S
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "03N60S5", "SPD03N6"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
03N60S5 INFINEON
INFINEON

SPP03N60S5

Cool MOS™ Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • Ultra low effective capacitances • Improved transconductance SPP03N60S5 VDS RDS(on) ID 600 V 1.4 Ω 3.2 A P
pdf
SPB03N60S5 Infineon Technologies
Infineon Technologies

Cool MOS Power Transistor

SPP03N60S5 SPB03N60S5 Cool MOS™ Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • Ultra low effective capacitances • Improved transconductance P-TO220-3-1 VDS RDS(on) ID P
pdf
SPN03N60S5 Infineon Technologies
Infineon Technologies

Cool MOS Power Transistor

SPN03N60S5 Cool MOS™ Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Extreme dv/dt rated • Ultra low effective capacitances • Improved transconductance 2 1 VPS05163 VDS RDS(on) ID 600 1.4 0.7 SOT-223 4 V Ω A 3 Type
pdf
SPP03N60S5 Infineon Technologies
Infineon Technologies

Power Transistor

Cool MOS™ Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • Ultra low effective capacitances • Improved transconductance SPP03N60S5 VDS RDS(on) ID 600 V 1.4 Ω 3.2 A P
pdf
SPU03N60S5 Infineon Technologies
Infineon Technologies

Cool MOS Power Transistor

SPU03N60S5 SPD03N60S5 Cool MOS™ Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • Ultra low effective capacitances • Improved transconductance VDS RDS(on) ID P-TO252. 2 3
pdf
SPD03N60C3 Infineon Technologies
Infineon Technologies

Cool MOS& Power Transistor

2B>PQNB % FUf aUe_dcY_^Qah XYWX e_cQWU cUSX^__Wh % McaQ _f WQcU SXQaWU % HUaY_TYS QeQQ^SXU aQcUT % >gcaU]U T3)T2 aQcUT % AYWX `UQ[ SdaaU^c SQ`QRYYch % B]`a_eUT caQ^bS_^TdScQ^SU VDS Tjmjmaxax *=K"_^# '= 0/* +(. -(, N ! 9 H*'LG,/+ H*'LG,/, ;UMB KH=*-F0*@H>DB H*
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты