|
SLP60R190SJ даташитФункция этой детали – «N-channel Mosfet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
SLP60R190SJ | Maple Semiconductor |
N-Channel MOSFET SLP60R190SJ / SLF60R190SJ
SLP60R190SJ / SLF60R190SJ
600V N-Channel MOSFET
CB-FET
General Description
This Power MOSFET is produced using Maple semi‘s Advanced Super-Junction technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for AC/DC power conversion in switching mode operation for higher efficiency.
Features
- 20A, 600V, RDS(on) t |
Это результат поиска, начинающийся с "60R190SJ", "SLP60R19" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
SLF60R190SJ | Maple Semiconductor |
N-Channel MOSFET SLP60R190SJ / SLF60R190SJ
SLP60R190SJ / SLF60R190SJ
600V N-Channel MOSFET
CB-FET
General Description
This Power MOSFET is produced using Maple semi‘s Advanced Super-Junction technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize conduction loss, provid |
|
BP60190 | Vanlong Technology |
SAW Filter 70 MHz Bandpass SAW Filter
70 MHz Bandpass SAW Filter
10 MHz Bandwidth
Complies with Directive 2002/95/EC (RoHS Compliant)
BP60190
Specifications
Parameter Center Frequency at 25°C Insertion Loss at fc 1 dB Bandwidth 3 dB Bandwidth 40dB Bandwidth Passband |
|
RU60190R | Ruichips |
N-Channel Advanced Power MOSFET RU60190R
N-Channel Advanced Power MOSFET
MOSFET
Features
• 60V/190A, RDS (ON) =3.7mΩ(Typ.)@VGS=10V
• Super High Dense Cell Design
• Ultra Low On-Resistance
• 100% avalanche tested
• Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)
Pin Description
TO-220
Applic |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |