DataSheet26.com


SLP60R190SJ даташит

Функция этой детали – «N-channel Mosfet».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
SLP60R190SJ Maple Semiconductor
Maple Semiconductor
  N-Channel MOSFET

SLP60R190SJ / SLF60R190SJ SLP60R190SJ / SLF60R190SJ 600V N-Channel MOSFET CB-FET General Description This Power MOSFET is produced using Maple semi‘s Advanced Super-Junction technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for AC/DC power conversion in switching mode operation for higher efficiency. Features - 20A, 600V, RDS(on) t
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "60R190SJ", "SLP60R19"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
SLF60R190SJ Maple Semiconductor
Maple Semiconductor

N-Channel MOSFET

SLP60R190SJ / SLF60R190SJ SLP60R190SJ / SLF60R190SJ 600V N-Channel MOSFET CB-FET General Description This Power MOSFET is produced using Maple semi‘s Advanced Super-Junction technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize conduction loss, provid
pdf
BP60190 Vanlong Technology
Vanlong Technology

SAW Filter

70 MHz Bandpass SAW Filter 70 MHz Bandpass SAW Filter 10 MHz Bandwidth Complies with Directive 2002/95/EC (RoHS Compliant) BP60190 Specifications Parameter Center Frequency at 25°C Insertion Loss at fc 1 dB Bandwidth 3 dB Bandwidth 40dB Bandwidth Passband
pdf
RU60190R Ruichips
Ruichips

N-Channel Advanced Power MOSFET

RU60190R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features • 60V/190A, RDS (ON) =3.7mΩ(Typ.)@VGS=10V • Super High Dense Cell Design • Ultra Low On-Resistance • 100% avalanche tested • Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Pin Description TO-220 Applic
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты