|
SKM75GB173D даташитФункция этой детали – «Igbt Modules». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
SKM75GB173D | Semikron International |
IGBT Modules SKM 75GB173D
Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions IGBT
&6 !& !&9: ;6 3%= *3 3 4 ./ *8,- 5& 4 + 3>169'3!> ? 3 '& + 2 3 4 ./ *8,- 5& 4 + 4 +, B 2B 3= 4 +/, 5&
3 4 ./ 5&
Values
+0,, 0/ */,+,, < ., " @, 222 A +/, *+ ./@,,, , *@,+,, //,
Units
' ' 5& ' ' '
SEMITRANSTM 2 IGBT Modules
SKM 75GB173D
Inverse diode
!# !#9: !#:
Characteristics Symbol Conditions IGBT
;6*!&6 &6*3>&6 &6*;6 4 &6 !& 4 @ ' ;6 4 , &6 4 &6 3= 4 ./ |
Это результат поиска, начинающийся с "75GB173D", "SKM75GB1" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
HD75173 | Renesas Technology |
Quadruple Differential Line Receivers With 3 State Outputs HD75173
Quadruple Differential Line Receivers With 3 State Outputs
REJ03D0310–0200Z (Previous ADE-205-592 (Z)) Rev.2.00 Jul.16.2004
Description
The HD75173 is a quadruple differential line receiver with three state outputs. It is designed to satisfy the requirements of EIA sta |
|
SKM75GB123D | Semikron International |
(SKM75xxx123D) SEMITRANS IGBT Modules New Range
$EVROXWH 0D[LPXP 5DWLQJV
6PERO &RQGLWLRQV
9DOXHV
± ± &ODVV .,( ):'
8QLWV 9 9 $ $ 9 : °& 9
6(0,75$16 0 ,*%7 0RGXOHV 6.0 |
|
SKM75GB124D | Semikron International |
Low Loss IGBT Modules SKM 75GB124D
Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions IGBT
6-7
-:
3 24 5- $
( Values
0211 011
94 011 ; 21 >1 ??? @ 041
024 2411 94
41 011 441
Units
6 . . 6 56 . . .
6!7 <
6
3 24
94 5
3 0 7:. = .- 0 |
|
SKM75GB128D | Semikron International |
SPT IGBT Module
SKM 75GB128D
Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions IGBT
' '56 7
"9$ +/ 3, 0 ! 1 :5(':; < ($ 1
> +/ 3, 0 ! 1 ! 1, A
>A 9 1/, 0
+/ 0$
! ) Values
1+,, |
|
SKM75GB12T4 | Semikron International |
IGBT4 Modules SKM 75GB12T4
Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions IGBT
' 9: '
@.. A B 51 A ' C 5-.. 3
561 2 E9:
; < E=>:
5. A
3
561 2 3
51. 2 3
-1 2 3
561 2 9:
; < =>:
-1 2
7. 2
-1 2&
$ |
|
SKM75GB12V | Semikron International |
V-IGBT SKM75GB12V
Absolute Maximum Ratings Symbol
IGBT VCES IC ICnom ICRM ICRM = 3xICnom VCC = 720 V VGE ≤ 20 V VCES ≤ 1200 V Tj = 25 °C Tj = 175 °C Tc = 25 °C Tc = 80 °C 1200 114 87 75 225 -20 ... 20 Tj = 125 °C 10 -40 ... 175 Tc = 25 °C Tc = 80 °C 97 73 75 IFRM = 3xIFnom tp |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |