|
SJEP170R550 даташитФункция этой детали – «Normally-off Trench SilICon Carbide Power Jfet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
SJEP170R550 | SemiSouth |
Normally-OFF Trench Silicon Carbide Power JFET Silicon Carbide
SJEP170R550
Normally-OFF Trench Silicon Carbide Power JFET
Features:
- Compatible with Standard Gate Driver ICs
- Positive Temperature Coefficient for Ease of Paralleling
- Temperature Independent Switching Behavior
- 175 °C Maximum Operating Temperature
- RDS(on)max of 0.550 Ω - Voltage Controlled - Low Gate Charge
4
- Low Intrinsic Capacitance
Product Summary
BVDS
1700
V
RDS(ON)max
0.550
Ω
ETS,typ
74
µJ
D(2,4)
G(1)
Applications: - Flyback Auxillary Power Supplies for:
- Sola |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |