|
SJ-370 даташитФункция этой детали – «Crystal Clock Oscillators». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
SJ-370 | NEL |
CRYSTAL CLOCK OSCILLATORS
CRYSTAL CLOCK OSCILLATORS
CMOS
Data Sheet 0012V Rev. G
SJ-370 Series
Description
The SJ-370 Series of quartz crystal oscillators are designed to survive standard wave soldering operations without damage.
Features
• Wide frequency range–2.25MHz to 80.0MHz • User specified tolerance available • Will withstand vapor phase temperatures of 253°C for 4 minutes maximum • Space-saving alternative to discrete component oscillators • High shock resistance, to 3000g • Metal lid electrically |
Это результат поиска, начинающийся с "SJ-3", "SJ-" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
EMRSJ-30 | Tyco Electronics |
E-Series Surface Mount Mixer 200 - 3000 MHz E-Series Surface Mount Mixer 200 - 3000 MHz
Features
q q q
EMRS-30, EMRSJ-30
V3.00
SM-41
LO Power: +7 dBm Up to +1 dBm RF Surface Mount
Specifications @ 25°C
Frequency Range RF LO IF Conversion Loss (dB) 200 - 3000 MHz Isolation (dB) LO to RF 200 - 3000 MHz LO to IF 200 - 3 |
|
FS10ASJ-3 | Mitsubishi |
HIGH-SPEED SWITCHING USE MITSUBISHI Nch POWER MOSFET
FS10ASJ-3
HIGH-SPEED SWITCHING USE
FS10ASJ-3
OUTLINE DRAWING
1.5 ± 0.2
6.5 5.0 ± 0.2
Dimensions in mm
0.5 ± 0.1
r
5.5 ± 0.2 1.0MAX. 2.3MIN.
10MAX.
1.0
A
0.5 ± 0.2 0.8
0.9MAX.
2.3
2.3
2.3
q
w
e
wr q GATE w DRAIN e SOURCE r DRAIN e |
|
FS10ASJ-3 | Powerex Power |
Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE MITSUBISHI Nch POWER MOSFET
FS10ASJ-3
HIGH-SPEED SWITCHING USE
FS10ASJ-3
OUTLINE DRAWING
1.5 ± 0.2
6.5 5.0 ± 0.2
Dimensions in mm
0.5 ± 0.1
r
5.5 ± 0.2 1.0MAX. 2.3MIN.
10MAX.
1.0
A
0.5 ± 0.2 0.8
0.9MAX.
2.3
2.3
2.3
q
w
e
wr q GATE w DRAIN e SOURCE r DRAIN e |
|
FS20VSJ-3 | Renesas Technology |
High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET FX20VSJ-3
High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET
REJ03G0273-0100 Rev.1.00 Aug.20.2004
Features
• Drive voltage : 4 V • VDSS : – 150 V • rDS(ON) (max) : 0.29 Ω • ID : – 20 A • Recovery Time of the Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 100 |
|
FS2ASJ-3 | Mitsubishi Electric Semiconductor |
Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE MITSUBISHI Nch POWER MOSFET
FS50UM-06
HIGH-SPEED SWITCHING USE
FS50UM-06
OUTLINE DRAWING
10.5MAX. r
3.2 7.0
Dimensions in mm
4.5 1.3
16
f 3.6
3.8MAX.
1.0
12.5MIN.
0.8
D
0.5
4.5MAX.
2.54
2.54
2.6
q w e
wr q GATE w DRAIN e SOURCE r DRAIN e
¡10V DRIVE ¡VDSS ....... |
|
FS2ASJ-3 | Powerex Power Semiconductors |
Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE MITSUBISHI Nch POWER MOSFET
FS22SM-9
HIGH-SPEED SWITCHING USE
FS22SM-9
OUTLINE DRAWING
15.9MAX.
Dimensions in mm 4.5 1.5
r
2
2
4
20.0
φ 3.2
5.0
1.0 q 5.45 w e 5.45
19.5MIN.
4.4
0.6
2.8
4 wr q GATE w DRAIN e SOURCE r DRAIN e
q
¡VDSS ............................ |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |