DataSheet26.com


SJ-370 даташит

Функция этой детали – «Crystal Clock Oscillators».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
SJ-370 NEL
NEL
  CRYSTAL CLOCK OSCILLATORS

CRYSTAL CLOCK OSCILLATORS CMOS Data Sheet 0012V Rev. G SJ-370 Series Description The SJ-370 Series of quartz crystal oscillators are designed to survive standard wave soldering operations without damage. Features • Wide frequency range–2.25MHz to 80.0MHz • User specified tolerance available • Will withstand vapor phase temperatures of 253°C for 4 minutes maximum • Space-saving alternative to discrete component oscillators • High shock resistance, to 3000g • Metal lid electrically
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "SJ-3", "SJ-"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
EMRSJ-30 Tyco Electronics
Tyco Electronics

E-Series Surface Mount Mixer 200 - 3000 MHz

E-Series Surface Mount Mixer 200 - 3000 MHz Features q q q EMRS-30, EMRSJ-30 V3.00 SM-41 LO Power: +7 dBm Up to +1 dBm RF Surface Mount Specifications @ 25°C Frequency Range RF LO IF Conversion Loss (dB) 200 - 3000 MHz Isolation (dB) LO to RF 200 - 3000 MHz LO to IF 200 - 3
pdf
FS10ASJ-3 Mitsubishi
Mitsubishi

HIGH-SPEED SWITCHING USE

MITSUBISHI Nch POWER MOSFET FS10ASJ-3 HIGH-SPEED SWITCHING USE FS10ASJ-3 OUTLINE DRAWING 1.5 ± 0.2 6.5 5.0 ± 0.2 Dimensions in mm 0.5 ± 0.1 r 5.5 ± 0.2 1.0MAX. 2.3MIN. 10MAX. 1.0 A 0.5 ± 0.2 0.8 0.9MAX. 2.3 2.3 2.3 q w e wr q GATE w DRAIN e SOURCE r DRAIN e
pdf
FS10ASJ-3 Powerex Power
Powerex Power

Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE

MITSUBISHI Nch POWER MOSFET FS10ASJ-3 HIGH-SPEED SWITCHING USE FS10ASJ-3 OUTLINE DRAWING 1.5 ± 0.2 6.5 5.0 ± 0.2 Dimensions in mm 0.5 ± 0.1 r 5.5 ± 0.2 1.0MAX. 2.3MIN. 10MAX. 1.0 A 0.5 ± 0.2 0.8 0.9MAX. 2.3 2.3 2.3 q w e wr q GATE w DRAIN e SOURCE r DRAIN e
pdf
FS20VSJ-3 Renesas Technology
Renesas Technology

High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET

FX20VSJ-3 High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET REJ03G0273-0100 Rev.1.00 Aug.20.2004 Features • Drive voltage : 4 V • VDSS : – 150 V • rDS(ON) (max) : 0.29 Ω • ID : – 20 A • Recovery Time of the Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 100
pdf
FS2ASJ-3 Mitsubishi Electric Semiconductor
Mitsubishi Electric Semiconductor

Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE

MITSUBISHI Nch POWER MOSFET FS50UM-06 HIGH-SPEED SWITCHING USE FS50UM-06 OUTLINE DRAWING 10.5MAX. r 3.2 7.0 Dimensions in mm 4.5 1.3 16 f 3.6 3.8MAX. 1.0 12.5MIN. 0.8 D 0.5 4.5MAX. 2.54 2.54 2.6 q w e wr q GATE w DRAIN e SOURCE r DRAIN e ¡10V DRIVE ¡VDSS .......
pdf
FS2ASJ-3 Powerex Power Semiconductors
Powerex Power Semiconductors

Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE

MITSUBISHI Nch POWER MOSFET FS22SM-9 HIGH-SPEED SWITCHING USE FS22SM-9 OUTLINE DRAWING 15.9MAX. Dimensions in mm 4.5 1.5 r 2 2 4 20.0 φ 3.2 5.0 1.0 q 5.45 w e 5.45 19.5MIN. 4.4 0.6 2.8 4 wr q GATE w DRAIN e SOURCE r DRAIN e q ¡VDSS ............................
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты