|
SI5441DC даташитФункция этой детали – «P-channel 2.5-v (g-s) Mosfet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
SI5441DC | Vishay Siliconix |
P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET www.DataSheet.co.kr
Si5441DC
Vishay Siliconix
P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) rDS(on) (W)
0.055 @ VGS = −4.5 V −20 0.06 @ VGS = −3.6 V 0.083 @ VGS = −2.5 V
FEATURES
ID (A)
−5.3 −5.1 −4.3 11
Qg (Typ)
D TrenchFETr Power MOSFET D 2.5-V Rated
Pb-free Available
1206-8 ChipFETr
1
D D D D S D D G
S
G
Marking Code BA XX Lot Traceability and Date Code D P-Channel MOSFET
Part # Code Bottom View Ordering Information: Si5441DC Si5441DC-T1—E3 (Lead (Pb)-Free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS |
Это результат поиска, начинающийся с "5441DC", "SI544" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
KI5441DC | Kexin |
P-Channel MOSFET SMD Type
P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET KI5441DC
IC IC
Features
TrenchFET Power MOSFET 2.5-V Rated
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Continuous Drain Current (TJ = 150 Pulsed Drain Current Continuous Source Current * Maximum Powe |
|
1N5441 | Knox Semiconductor Inc |
GENERAL PURPOSE ABRUPT VARACTOR DIODES GENERAL PURPOSE ABRUPT VARACTOR DIODES 1N5441 TO 1N5476
PART NUMBER 1N5441 1N5442 1N5443 1N5444 1N5445 1N5446 1N5447 1N5448 1N5449 1N5450 1N5451 1N5452 1N5453 1N5454 1N5455 1N5456 ♦ 1N5461 ♦ 1N5462 ♦ 1N5463 ♦ 1N5464 ♦ 1N5465 ♦ 1N5466 ♦ 1N5467 ♦ 1N5468 ♦ 1N5469 |
|
1N5441 | New Jersey Semiconductor |
Diode VAR Cap Single 30V 6.8pF 2-Pin DO-7 |
|
1N5441 | New Jersey Semiconductor |
Diode VAR Cap Single 30V 6.8pF 2-Pin DO-7 |
|
1N5441A | New Jersey Semiconductor |
Diode VAR Cap Single 30V 6.8pF 2-Pin DO-7 |
|
1N5441A | New Jersey Semiconductor |
Diode VAR Cap Single 30V 6.8pF 2-Pin DO-7 |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |