DataSheet26.com


SI2305 даташит PDF

Это P-channel Enhancement Mode Field Effect Transistor. На странице результатов поиска SI2305 Даташиты отображается список соответствующих спецификаций на основе введенного ключевого слова или фразы. Предоставляет подробные спецификации и возможности сравнения, чтобы пользователи могли легко просматривать и выбирать продукты от широкого круга ведущих производителей.



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
SI2305 MCC
MCC
  P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

MCC TM Micro Commercial Components   omponents 20736 Marilla Street Chatsworth    !"# $ %    !"# SI2305 • • • • • • • • Features Halogen free available upon request by adding suffix "-HF" Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating Moisture Sensitivity Level 1 TrenchFET Power MOSFET Load Switch for Portable Devices DC/DC Converter SOT-23 Package Marking Code: S5 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-23 A D Maximum Ratings @ 25OC
pdf
SI2305 HT Semi
HT Semi
  20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

SI2305 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= -20V RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-2.8A RDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-2.0A 130mΩ 190mΩ Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Package Dimensions D G S SOT-23(PACKAGE) REF. A B C D E F Millimeter Min. Max. 2.70 3.10 2.40 2.80 1.40 1.60 0.35 0.50 0 0.10 0.45 0.55 REF. G H K J L M Millimeter Min. Max. 1.90 REF. 1.00 1.30 0.10 0.20 0.40 0.85 1.15 0° 10° Maximum Ratings and Thermal Characteristics (TA = 25oC unl
pdf
SI2305 ETC
ETC
  p-Channel MOSFET

Í·îíðë Ðóݸ¿²²»´ ïòîëóÉô ïòèóÊ øÙóÍ÷ ÓÑÍÚÛÌ ÐÎÑÜËÝÌ ÍËÓÓßÎÇ ÊÜÍ øÊ÷ ó îð ®ÜÍø±²÷ ø ÷ ðòðêë ¿¬ ÊÙÍ ã ó ìòë Ê ðòðèë ¿¬ ÊÙÍ ã ó îòë Ê ×Ü øß÷ o íòî o îòð ÚÛßÌËÎÛÍ Ð±©»® ÓÑÍÚÛÌ-æ ïòè Ê Î¿¬»¼ о󺮻» ߪ¿·´¿¾´» αØÍö ÝÑÓÐÔ×ßÒÌ ÌÑóîíê øÍÑÌóîí÷ Ù ï í Ü Í î ̱° Ê·»© Í·îíðë öÓ¿®µ·²¹ ݱ¼» ßÞÍÑÔËÌÛ Ó
pdf
SI2305ADS Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
  P-Channel 8-V (D-S) MOSFET

www.DataSheet.co.kr New Product Si2305ADS Vishay Siliconix P-Channel 8-V (D-S) MOSFET FEATURES ID (A) - 4.1 - 3.4 - 2.0 7.8 nC Qg (Typ.) PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) (Ω) 0.040 at VGS = - 4.5 V -8 0.060 at VGS = - 2.5 V 0.088 at VGS = - 1.8 V • Halogen-free Option Available • TrenchFET® Power MOSFET • 100 % Rg Tested RoHS COMPLIANT APPLICATIONS • Load Switch • DC/DC Converter TO-236 (SOT-23) S 3 S 2 D G G 1 Top View Si2305ADS (A5)* * Marking Code Ordering Information: Si2305ADS-T1-E3 (Lead (Pb)
pdf
SI2305CDS Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
  P-Channel 8 V (D-S) MOSFET

www.DataSheet.co.kr Si2305CDS Vishay Siliconix P-Channel 8 V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) -8 RDS(on) (Ω) 0.035 at VGS = - 4.5 V 0.048 at VGS = - 2.5 V 0.065 at VGS = - 1.8 V ID (A)d - 5.8 - 5.0 - 4.3 12 nC Qg (Typ.) FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 % Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC TO-236 (SOT-23) APPLICATIONS • Load Switch for Portable Devices • DC/DC Converter S 3 D G 1 S 2 G Top View Si2305CDS (N5)* * Mark
pdf
SI2305DS Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
  P-Channel 1.25-W/ 1.8-V (G-S) MOSFET

Si2305DS Vishay Siliconix P-Channel 1.25-W, 1.8-V (G-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) –8 8 rDS(on) (W) 0.052 @ VGS = –4.5 V 0.071 @ VGS = –2.5 V 0.108 @ VGS = –1.8 V ID (A) "3.5 "3 "2 TO-236 (SOT-23) G 1 3 S 2 D Top View Si2305DS (A5)* *Marking Code ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED) Parameter Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Continuous Drain Current (TJ = 150_C) Pulsed Drain Current Continuous Source Current (Diode Conduction)a, b Maximum Power Dissipation)a, b Operating
pdf
SI2305DS TOPSKY
TOPSKY
  P-Channel Power MOSFE

P-Channel Power MOSFE Production specification SI2305DS DESCRIPTION SI2305DS is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor is produced using high cell density, DMOS trench technology. This hight-density process is especially tailored tominimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebook computer power management, other battery powered circuits,and low in-line power loss are required. The product is in a very small o
pdf

[1]   





Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

введение сайта

Мы постоянно отслеживаем и анализируем поведение пользователей и поисковые запросы, чтобы повысить релевантность и точность результатов поиска. Мы отплатим вам лучшими результатами при следующем посещении.

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J    K    L  

  M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты