DataSheet26.com


SGS5N150UF даташит

Функция этой детали – «General Description».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
SGS5N150UF Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
  General Description

SGS5N150UF IGBT SGS5N150UF General Description Fairchild’s Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) provides low conduction and switching losses. SGS5N150UF is designed for the Switching Power Supply applications. Features • High Speed Switching • Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 4.7 V @ IC = 5A • High Input Impedance Application Switching Power Supply - High Input Voltage Off-line Converter C G TO-220F G C E TC = 25°C unless otherwise noted E Absolute Maximum Ratings Symbol VCES VGES IC ICM (1) PD T
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "5N150UF", "SGS5N15"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
5N150UF Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor

SGF5N150UF

SGF5N150UF IGBT SGF5N150UF General Description Fairchild’s Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) provides low conduction and switching losses. SGF5N150UF is designed for the Switching Power Supply applications. Features • High Speed Switching • Low
pdf
SGF5N150UF Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor

General Description

SGF5N150UF IGBT SGF5N150UF General Description Fairchild’s Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) provides low conduction and switching losses. SGF5N150UF is designed for the Switching Power Supply applications. Features • High Speed Switching • Low Saturation Voltage :
pdf
SGL5N150UF Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor

General Description

SGL5N150UF IGBT SGL5N150UF General Description Fairchild’s Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) provides low conduction and switching losses. SGL5N150UF is designed for the Switching Power Supply applications. Features • High Speed Switching • Low Saturation Voltage :
pdf
2N5150 Seme LAB
Seme LAB

Bipolar NPN Device

2N5150 Dimensions in mm (inches). 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) 12.70 (0.500) min. (00.0.8395)max. 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) dia. 5.08 (0.200) typ. 0.74 (0.029) 1.14 (0.045) 0.71 (0.028) 0.86 (0.034) 2 13 45° 2.54 (0.100) 1
pdf
2N5150 Texas
Texas

NPN Silicon Power Transistor

pdf
2N5150 New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Trans GP BJT NPN 80V 5A 3-Pin TO-39 Box

pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты