|
SGS5N150UF даташитФункция этой детали – «General Description». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
SGS5N150UF | Fairchild Semiconductor |
General Description SGS5N150UF
IGBT
SGS5N150UF
General Description
Fairchild’s Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) provides low conduction and switching losses. SGS5N150UF is designed for the Switching Power Supply applications.
Features
• High Speed Switching • Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 4.7 V @ IC = 5A • High Input Impedance
Application
Switching Power Supply - High Input Voltage Off-line Converter
C
G
TO-220F
G C E
TC = 25°C unless otherwise noted
E
Absolute Maximum Ratings
Symbol VCES VGES IC ICM (1) PD T |
Это результат поиска, начинающийся с "5N150UF", "SGS5N15" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
5N150UF | Fairchild Semiconductor |
SGF5N150UF SGF5N150UF
IGBT
SGF5N150UF
General Description
Fairchild’s Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) provides low conduction and switching losses. SGF5N150UF is designed for the Switching Power Supply applications.
Features
• High Speed Switching • Low |
|
SGF5N150UF | Fairchild Semiconductor |
General Description SGF5N150UF
IGBT
SGF5N150UF
General Description
Fairchild’s Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) provides low conduction and switching losses. SGF5N150UF is designed for the Switching Power Supply applications.
Features
• High Speed Switching • Low Saturation Voltage : |
|
SGL5N150UF | Fairchild Semiconductor |
General Description SGL5N150UF
IGBT
SGL5N150UF
General Description
Fairchild’s Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) provides low conduction and switching losses. SGL5N150UF is designed for the Switching Power Supply applications.
Features
• High Speed Switching • Low Saturation Voltage : |
|
2N5150 | Seme LAB |
Bipolar NPN Device 2N5150
Dimensions in mm (inches).
8.51 (0.34) 9.40 (0.37)
7.75 (0.305) 8.51 (0.335)
6.10 (0.240) 6.60 (0.260)
12.70 (0.500)
min.
(00.0.8395)max.
0.41 (0.016) 0.53 (0.021)
dia.
5.08 (0.200) typ.
0.74 (0.029) 1.14 (0.045)
0.71 (0.028) 0.86 (0.034)
2 13
45°
2.54 (0.100)
1 |
|
2N5150 | Texas |
NPN Silicon Power Transistor |
|
2N5150 | New Jersey Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 5A 3-Pin TO-39 Box |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |