|
SGN01G64D2BG1SA-DCRT даташитФункция этой детали – «Sdram So-dimm». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
SGN01G64D2BG1SA-DCRT | Swissbit |
SDRAM SO-DIMM Data Sheet
Rev.1.2
23.03.2012
1024MB DDR3 – SDRAM SO-DIMM
204 Pin SO-DIMM SGN01G64D2BG1SA-xxRT 1GByte in FBGA Technology RoHS compliant
Features:
204-pin 64-bit DDR3 Small Outline Dual-In-Line Double Data Rate Synchronous DRAM module Module organization: single rank 128M x 64 VDD = 1.5V ±0.075V, VDDQ 1.5V ±0.075V 1.5V I/O ( SSTL_15 compatible) Fly-by-bus with termination for C/A & CLK bus 2 On-board I C temperature sensor with integrated serial presence-detect (SPD) EEPROM Gold-contact pads This module is fu |
Это результат поиска, начинающийся с "01G64D2BG1SA", "SGN01G64D2BG1SA-D" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
SGN01G64D2BG1SA-BBRT | Swissbit |
SDRAM SO-DIMM Data Sheet
Rev.1.2
23.03.2012
1024MB DDR3 – SDRAM SO-DIMM
204 Pin SO-DIMM SGN01G64D2BG1SA-xxRT 1GByte in FBGA Technology RoHS compliant
Features:
204-pin 64-bit DDR3 Small Outline Dual-In-Line Double Data Rate Synchronous DRAM module Module organization: single rank 128 |
|
SGN01G64D2BG1SA-CCRT | Swissbit |
SDRAM SO-DIMM Data Sheet
Rev.1.2
23.03.2012
1024MB DDR3 – SDRAM SO-DIMM
204 Pin SO-DIMM SGN01G64D2BG1SA-xxRT 1GByte in FBGA Technology RoHS compliant
Features:
204-pin 64-bit DDR3 Small Outline Dual-In-Line Double Data Rate Synchronous DRAM module Module organization: single rank 128 |
|
SGN01G64D2BG1SA-xxRT | Swissbit |
SDRAM SO-DIMM Data Sheet
Rev.1.2
23.03.2012
1024MB DDR3 – SDRAM SO-DIMM
204 Pin SO-DIMM SGN01G64D2BG1SA-xxRT 1GByte in FBGA Technology RoHS compliant
Features:
204-pin 64-bit DDR3 Small Outline Dual-In-Line Double Data Rate Synchronous DRAM module Module organization: single rank 128 |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |