|
SDC606P даташит PDFЭто Ac-dc Power Management Circuits. На странице результатов поиска SDC606P Даташиты отображается список соответствующих спецификаций на основе введенного ключевого слова или фразы. Предоставляет подробные спецификации и возможности сравнения, чтобы пользователи могли легко просматривать и выбирать продукты от широкого круга ведущих производителей. |
Показать результаты поиска |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| SDC606P |  SDC |
AC-DC power management circuits 绍兴光大芯业微电子有限公司 AC-DC 电源管理电路
SDC606P
SDC606P
概述
SDC606P 是一款高度集成的电流模式 PWM 控制芯片。内置振荡器、 内置高压管 和降频功能，IC 具有完整的自恢复保护功 能。该电源控制器工作于典型的反激拓扑 电路中，构成简洁的 AC/DC 电源转换器。 在 85V-265V 的宽电压范围内提供 12W 的 连续输出功率。
特点
内置振荡器 内置750V高压功率开 |
 |
Это результат поиска, начинающийся с "606P", "SDC6" |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| FDC606P |  Fairchild Semiconductor |
P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET FDC606P
December 2001
FDC606P
P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
General Description
This P-Channel 1.8V specified MOSFET uses Fairchild’s low voltage PowerTrench process. It has been optimized for battery power management applications.
Features
• –6 A, –12 |
 |
| FDM606P | Fairchild Semiconductor |
P-Channel 1.8V Logic Level Power Trench MOSFET FDM606P
July 2002
FDM606P
P-Channel 1.8V Logic Level Power Trench® MOSFET
General Description
This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain |
|
| HER1606PT |  Won-Top Electronics |
16A HIGH EFFICIENCY GLASS PASSIVATED RECTIFIER |
|
| HER1606PT |  Taiwan Semiconductor |
Glass Passivated High Efficient Rectifiers CREAT BY ART
HER1601PT - HER1608PT
16.0AMPS. Glass Passivated High Efficient Rectifiers TO-3P/TO-247AD
Features
UL Recognized File # E-326243 Dual rectifier construction, positive center-tap
Plastic package has Underwriters Laborator Flammability Classification 94V-0
|
|
| HY1606P |  HOOYI |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET HY1606P/B
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Features
• 60V/66A
RDS(ON) = 10.4 mΩ (typ.) @ VGS=10V
• 100% avalanche tested • Reliable and Rugged • Lead Free and Green Devices Available
(RoHS Compliant)
Pin Description
DS G TO-220FB-3L
DS G TO-263-2L
Applications
|
|
| IRF7606PBF |  International Rectifier |
Power MOSFET ( Transistor ) PD - 95245
IRF7606PbF
l Generation V Technology l Ultra Low On-Resistance l P-Channel MOSFET l Very Small SOIC Package l Low Profile (<1.1mm) l Available in Tape & Reel l Fast Switching l Lead-Free Description
S S S G
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier util |
|
Последние обновления
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 2N3904 |  Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
| NE555 |  ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
|
введение сайта
|
Мы постоянно отслеживаем и анализируем поведение пользователей и поисковые запросы, чтобы повысить релевантность и точность результатов поиска. Мы отплатим вам лучшими результатами при следующем посещении. |
| DataSheet26.com | 2020 | Контакты |