|
SDB3060PI даташитФункция этой детали – «Dual Common Cathode Schottky Rectifier». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
SDB3060PI | KODENSHI |
DUAL COMMON CATHODE SCHOTTKY RECTIFIER SDB3060PI
Schottky Barrier Rectifier
DUAL COMMON CATHODE SCHOTTKY RECTIFIER
Features
Low forward voltage drop and leakage current Low power loss and High efficiency High surge capability Dual common cathode rectifier Full lead (Pb)-free and RoHS compliant device
123
123 Pin 1, 3: Anode
Applications
Power supply - Output rectification Converter Free-wheeling diode Reverse battery protection
Pin 2: Cathode
TO-220F-3L
Product Characteristics IF(AV) VRRM
2 X 15A 60V
Power inve |
Это результат поиска, начинающийся с "3060PI", "SDB306" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
ISD33060PI | ETC |
Single-Chip Voice Record/Playback Devices 60-/ 75-/ 90-/ and 120-Second Durations
!"
#$
|
|
0230600L | Microsemi Corporation |
Silicon Controlled Rectifier |
|
0230600L | Microsemi Corporation |
Silicon Controlled Rectifier |
|
1SCA022770R3060 | ABB |
neutral and earth terminals |
|
2SB183060MA | Silan |
LOW IR SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS 2SB183060MA
2SB183060MA SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS
DESCRIPTION
Ø Ø Ø Ø Ø Ø 2SB183060MA is a schottky barrier diode chips fabricated in silicon epitaxial planar technology; Low power losses, high efficiency; High ESD capability; High surge capability; Guard ring constructi |
|
2SC3060 | Fujitsu Media Devices |
(2SC3178 / 2SC3059 - 2SC3061) Silicon High Speed Power Transistor This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
This Material Copyrighted By Its Respective Manu |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |