|
SDA263B1 даташитФункция этой детали – «Diode ( Rectifier )». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
SDA263B1 | American Microsemiconductor |
Diode ( Rectifier ) |
Это результат поиска, начинающийся с "263B1", "SDA26" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
U263B1 | Telefunken |
(U263B2) Zero Voltage Switch |
|
2N2631 | Solid State Division |
RF Power Transistor |
|
2SC2631 | Panasonic Semiconductor |
Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency high breakdown voltage amplification) Transistor
2SC2631
Silicon NPN epitaxial planer type
For low-frequency high breakdown voltage amplification Complementary to 2SA1123
5.0±0.2
5.1±0.2
Unit: mm
4.0±0.2
s Features
q q q
s Absolute Maximum Ratings
Parameter Collector to base voltage Collector to emitter voltag |
|
2SC2631 | Panasonic Semiconductor |
Silicon PNP Epitaxial Transistor Transistor
2SC2631
Silicon NPN epitaxial planer type
For low-frequency high breakdown voltage amplification Complementary to 2SA1123
5.0±0.2
5.1±0.2
Unit: mm
4.0±0.2
s Features
q q q
s Absolute Maximum Ratings
Parameter Collector to base voltage Collector to emitter voltag |
|
2SK2631 | Sanyo Semicon Device |
Ultrahigh-Speed Switching Applications Ordering number : ENN6600
2SK2631
N-Channel Silicon MOSFET
2SK2631
Ultrahigh-Speed Switching Applications
Features
• •
Package Dimensions
unit : mm 2083B
[2SK2631]
6.5 5.0 4
Low ON resistance. Smaller amount of total gate charge.
1.5
2.3
0.5
0.85 0.7
5.5
7.0
0.8 1. |
|
72631 | Vishay Siliconix |
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET Si7459DP
New Product
Vishay Siliconix
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V)
- 30
FEATURES
ID (A)
- 22
rDS(on) (W)
0.0068 @ VGS = - 10 V
D TrenchFETr Power MOSFETS D New Low Thermal Resistance PowerPAKr Package with Low 1.07-mm Profile
APPLICATIONS
D Battery an |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |