DataSheet26.com


SDA263B1 даташит

Функция этой детали – «Diode ( Rectifier )».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
SDA263B1 American Microsemiconductor
American Microsemiconductor
  Diode ( Rectifier )

pdf

Это результат поиска, начинающийся с "263B1", "SDA26"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
U263B1 Telefunken
Telefunken

(U263B2) Zero Voltage Switch

pdf
2N2631 Solid State Division
Solid State Division

RF Power Transistor

pdf
2SC2631 Panasonic Semiconductor
Panasonic Semiconductor

Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency high breakdown voltage amplification)

Transistor 2SC2631 Silicon NPN epitaxial planer type For low-frequency high breakdown voltage amplification Complementary to 2SA1123 5.0±0.2 5.1±0.2 Unit: mm 4.0±0.2 s Features q q q s Absolute Maximum Ratings Parameter Collector to base voltage Collector to emitter voltag
pdf
2SC2631 Panasonic Semiconductor
Panasonic Semiconductor

Silicon PNP Epitaxial Transistor

Transistor 2SC2631 Silicon NPN epitaxial planer type For low-frequency high breakdown voltage amplification Complementary to 2SA1123 5.0±0.2 5.1±0.2 Unit: mm 4.0±0.2 s Features q q q s Absolute Maximum Ratings Parameter Collector to base voltage Collector to emitter voltag
pdf
2SK2631 Sanyo Semicon Device
Sanyo Semicon Device

Ultrahigh-Speed Switching Applications

Ordering number : ENN6600 2SK2631 N-Channel Silicon MOSFET 2SK2631 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • • Package Dimensions unit : mm 2083B [2SK2631] 6.5 5.0 4 Low ON resistance. Smaller amount of total gate charge. 1.5 2.3 0.5 0.85 0.7 5.5 7.0 0.8 1.
pdf
72631 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

Si7459DP New Product Vishay Siliconix P-Channel 30-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) - 30 FEATURES ID (A) - 22 rDS(on) (W) 0.0068 @ VGS = - 10 V D TrenchFETr Power MOSFETS D New Low Thermal Resistance PowerPAKr Package with Low 1.07-mm Profile APPLICATIONS D Battery an
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты