|
|
|
|
На странице результатов поиска SD1530-7 Даташиты отображается список соответствующих спецификаций на основе введенного ключевого слова или фразы. Предоставляет подробные спецификации и возможности сравнения, чтобы пользователи могли легко просматривать и выбирать продукты от широкого круга ведущих производителей. |
SD1530-7 даташит PDF |
| Номер в каталоге | Описание | Производители | ||
| 1 | SD1530-7 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR ASI SD1530-7
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The ASI SD1530-7 is a Common Base Device Designed for DME, IFF and Tacan Pulse Applications.
FEATURES INCLUDE:
• Gold Metalization • Input Matching • Broad Band Performance
PACKAGE STYLE 250 2L FLG (A)
MAXIMUM RATINGS
IC VCES PDISS TJ T STG θ JC 2.5 A 55 V 125 W @ TC = 25 OC -55 OC to +200 OC -55 OC to +200 OC 1.4 C/W
O
1 = COLLECTOR 2 = EMITTER 3 = BASE
CHARACTERISTICS
SYMBOL
BV CES BV EBO hFE PG ηC IC = 75 mA IE = 25 mA VCE = 5.0 V VCC = 50 V
TC |
 Advanced Semiconductor |
 |
Это результат поиска, начинающийся с "SD15" |
| Номер в каталоге | Описание | Производители | |
| SD1565 | RF & MICROWAVE TRANSISTORS UHF PULSED APPLICATIONS SD1565
RF & MICROWAVE TRANSISTORS UHF PULSED APPLICATIONS
. . . . . .
500 WATTS @ 250 µ Sec PULSE WIDTH, 10% DUTY CYCLE REFRACTORY GOLD METALLIZATION EMITTER BALLASTING AND LOW RESISTANCE FOR RELIABILITY AND RUGGEDNESS INFINITE VSWR CAPABILITY AT SPECIFIED OPERATING CONDITIONS |
 ST Microelectronics |
 |
| SD1546-1 | Diode |
 American Microsemiconductor |
|
| SD1541-09 | RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS SD1541-09
RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS
. . . . . . .
DESIGNED FOR HIGH POWER PULSED IFF APPLICATIONS 450 WATTS (min.) IFF 1030/1090 MHz 7.0 dB MIN. GAIN REFRACTORY GOLD METALLIZATION BALLASTING AND LOW THERMAL RESISTANCE FOR RELIABILITY AND RUGGEDNESS 30:1 L |
ST Microelectronics |
|
| SD1541-01 | RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS SD1541-01
RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS
. . . . . . .
DESIGNED FOR HIGH POWER PULSED IFF AND DME APPLICATIONS 400 (min.) DME 1025 - 1150 MHz 6.5 dB MIN. GAIN REFRACTORY GOLD METALLIZATION EMITTER BALLASTING AND LOW THERMAL RESISTANCE FOR RELIABILITY AND RUGGE |
ST Microelectronics |
|
| SD1540-08 | RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS SD1540-08
RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS
. . . . . . . . .
DESIGNED FOR HIGH POWER PULSED IFF, DME, TACAN APPLICATIONS 350 WATTS (typ.) IFF 1030 - 1090 MHz 300 WATTS (min.) DME 1025 - 1150 MHz 290 WATTS (typ.) TACAN 960 - 1215 MHz 6.3 dB MIN. GAIN REFRACTORY G |
ST Microelectronics |
|
| SD1540 | Trans GP BJT NPN 65V 22A 4-Pin Case M-103 |
 New Jersey Semiconductor |
|
| SD1538-08 | RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS SD1538-08
RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS
. . . . . . . . .
DESIGNED FOR HIGH POWER PULSE IFF, DME, AND TACAN APPLICATIONS 200 W (typ.) IFF 1030 - 1090 MHz 150 W (min.) DME 1025 - 1150 MHz 140 W (typ.) TACAN 960 - 1215 MHz 7.8 dB MIN. GAIN REFRACTORY GOLD METAL |
ST Microelectronics |
|
| SD1536 | Trans GP BJT NPN 65V 10A 3-Pin Case M-105 |
New Jersey Semiconductor |
|
| SD1534-08 | RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS SD1534-08
RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS
. . . . . . . . .
DESIGNED FOR HIGH POWER PULSED IFF, DME, TACAN APPLICATIONS 80 WATTS (typ.) IFF 1030 - 1090 MHz 75 WATTS (min.) DME 1025 - 1150 MHz 50 WATTS (typ.) TACAN 960 - 1215 MHz 8.0 dB MIN. GAIN REFRACTORY GOLD |
ST Microelectronics |
|
| SD1534-01 | RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS SD1534-01
RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS
. . . . . . . . .
DESIGNED FOR HIGH POWER PULSED IFF, DME, TACAN APPLICATIONS 80 WATTS (typ.) IFF 1030 - 1090 MHz 75 WATTS (min.) DME 1025 - 1150 MHz 50 WATTS (typ.) TACAN 960 - 1215 MHz 8.0 dB MIN. GAIN REFRACTORY GOLD |
ST Microelectronics |
|
Ссылка Поделиться :
Последние обновления
| Номер в каталоге | Описание | Производители | |
| 2N3904 | Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
 Unisonic Technologies |
|
| NE555 | Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
 ST Microelectronics |
|
|
Мы постоянно отслеживаем и анализируем поведение пользователей и поисковые запросы, чтобы повысить релевантность и точность результатов поиска. Мы отплатим вам лучшими результатами при следующем посещении. |
| DataSheet26.com | 2020 | Контакты |