|
SD1006 даташитФункция этой детали – «1.0a Surface Mount Schottky Barrier Rectifier». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
SD1006 | Taiwan Semiconductor |
1.0A Surface Mount Schottky Barrier Rectifier SD1002 THRU SD1006
1.0A Surface Mount Schottky Barrier Rectifier
Voltage Range 20 to 60 Volts 450m Watts Power Dissipation
Features
Schottky barrier chip Guard ring die construction for transient protection Low power loss, high efficiency High surge capability High current capability and low forward voltage drop For use in low voltage, high frequency inverters, free wheeling, and polarity protection application Plastic material: UL flammability Classification rating 94V-0
Mechanical Data
0.053(1.35) Max.
SOD-123
0.02 |
|
SD1006 | Advanced Semiconductor |
NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR SD1006
NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
PACKAGE STYLE TO-39
DESCRIPTION:
The ASI SD1006 is a High Frequency Transistor for General Purpose Amplifier Applications.
MAXIMUM RATINGS
IC VCEO VCBO PDISS TJ TSTG θJC 400 mA 30 V 50 V 3.5 W @ TC = 25 °C -65 °C to +200 °C -65 °C to +200 °C 50 °C/W
1 = EMITTER 2 = BASE 3 = COLLECTOR
NONE
CHARACTERISTICS
SYMBOL
BVCEO BVCBO BVEBO ICEO hFE ft Cob Cib NFNB NFBB GVE XMOD 2NDO
TC = 25 °C
TEST CONDITIONS
IC = 5.0 mA IC = 100 µA IE = 100 µA VCE = 28 V VCE = 15 V VCE |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |