|
SB3045ST даташит PDFЭто Schottky Barrier Rectifiers. На странице результатов поиска SB3045ST Даташиты отображается список соответствующих спецификаций на основе введенного ключевого слова или фразы. Предоставляет подробные спецификации и возможности сравнения, чтобы пользователи могли легко просматривать и выбирать продукты от широкого круга ведущих производителей. |
Показать результаты поиска |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| SB3045ST |  Pan Jit |
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS SB3020ST SERIES
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 20 to 60 Volts CURRENT VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-O. Flame Retardant Epoxy Molding Compound. • Exceeds environmental standards of
0.516(13.20) 0.504(12.80)
30 Amperes
0.615(15.60)MAX. 0.520(13.20) 0.504(12.80)
0.402(10.20) 0.385(9.80)
0.185(4.70) 0.169(4.30)
MIL-S-19500/228 • Low power loss, high efficiency. • Low forward voltage, high current capability • High surge capacity. • For use in low v |
 |
Это результат поиска, начинающийся с "3045ST", "SB304" |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| MBR3045ST |  ON Semiconductor |
Switch-mode Power Rectifiers MBR3045ST, MBRB3045CT-1
Switch‐mode Power Rectifier
Features and Benefits
• Dual Diode Construction − Terminals 1 and 3 May Be Connected for
Parallel Operation at Full Rating
• 45 V Blocking Voltage • Low Forward Voltage Drop • 175°C Operating Junction Temperature |
 |
| MBR3045ST |  Motorola Semiconductors |
SWITCHMODE Power Rectifier MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document by MBR3045ST/D
Advance Information SWITCHMODE™ Power Rectifier
. . . using the Schottky Barrier principle with a platinum barrier metal. This state–of–the–art device has the following features: • Dual Diode Co |
|
| 1430450 |  C&D Technologies |
Bobbin Type Inductors |
|
| 1430450 | C&D Technologies |
Bobbin Type Inductors |
|
| 1430450C |  Murata |
Bobbin Type Inductors www.murata-ps.com
1400 Series
Bobbin Type Inductors
FEATURES n RoHS compliant n Radial format n -40°C to 85°C operating temperature n Up to 13A IDC n 10μH to 22mH n Low DC resistance n Fully tinned leads n PCB mounting hole n Low temperature dependence n Backward compatible |
|
| 1N3045 |  New Jersey Semiconductor |
Diode Zener Single 110V 20% 1W 2-Pin DO-13 |
|
Последние обновления
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 2N3904 |  Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
| NE555 |  ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
|
введение сайта
|
Мы постоянно отслеживаем и анализируем поведение пользователей и поисковые запросы, чтобы повысить релевантность и точность результатов поиска. Мы отплатим вам лучшими результатами при следующем посещении. |
| DataSheet26.com | 2020 | Контакты |