|
S25FL129P даташитФункция этой детали – «128-mbit Cmos 3.0 Volt Flash Memory». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
S25FL129P | SPANSION |
128-Mbit CMOS 3.0 Volt Flash Memory S25FL129P
128-Mbit CMOS 3.0 Volt Flash Memory with 104-MHz SPI (Serial Peripheral Interface) Multi I/O Bus
Data Sheet
S25FL129P Cover Sheet
This product is not recommended for new and current designs. For new and current designs, S25FL128S supersedes S25FL129P. This is the factory-recommended migration path. Please refer to the S25FL128S data sheet for specifications and ordering information.
Notice to Readers: This document states the current technical specifications regarding the Spansion product(s) described herein |
|
S25FL129P | Cypress Semiconductor |
128-Mbit 3.0 V Flash Memory S25FL129P
128-Mbit 3.0 V Flash Memory
This product is not recommended for new and current designs. For new and current designs, S25FL128S supersedes S25FL129P. This is the factory-recommended migration path. Please refer to the S25FL128S data sheet for specifications and ordering information.
Distinctive Characteristics
Architectural Advantages
Single power supply operation – Full voltage range: 2.7 to 3.6V read and write operations
Memory architecture – Uniform 64 KB sectors – Top or bottom parameter bl |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |