|
RU6099R даташитФункция этой детали – «N-channel Advanced Power Mosfet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
RU6099R | Ruichips |
N-Channel Advanced Power MOSFET RU6099R
N-Channel Advanced Power MOSFET
Features
• 60V/120A, RDS (ON) =6mΩ (Typ.) @VGS=10V • Ultra Low On-Resistance • Exceptional dv/dt capability • Fast Switching and Fully Avalanche Rated • 100% avalanche tested • 175°C Operating Temperature • Lead Free and Green Available
Pin Description
TO-220
Applications
• Switching Application Systems • Inverter Systems
N-Channel MOSFET
Absolute Maximum Ratings
Symbol VDSS VGSS TJ TSTG IS Parameter Rating 60 ±25 175 -55 to 175 TC=25°C TC=25°C TC=25 |
Это результат поиска, начинающийся с "6099R", "RU60" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N6099 | Unisonic Technologies |
COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS UTC 2N3773/2N6099
COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
The 2N3773/2N6099 are power-base power transistors designed for high power audio, disk head positions and other linear applications. These device can be used in power switching circuits such as relay or solened drivers, DC to DC |
|
2N6099 | SavantIC |
(2N6098 - 2N6101) Silicon Power Transistor SavantIC Semiconductor
Product Specification
Silicon NPN Power Transistors
2N6098 2N6099 2N6100 2N6101
DESCRIPTION ·With TO-220 package ·High current capability APPLICATIONS ·For use in general-purpose amplifier and switching applications
PINNING PIN 1 |
|
2N6099 | Inchange Semiconductor |
(2N6098 - 2N6101) Silicon NPN Power Transistors Inchange Semiconductor
Product Specification
Silicon NPN Power Transistors
2N6098 2N6099 2N6100 2N6101
DESCRIPTION ¡¤With TO-220 package ¡¤High current capability APPLICATIONS ¡¤For use in general-purpose amplifier and switching applications
PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTIO |
|
2N6099 | New Jersey Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Box |
|
2N6099A | New Jersey Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Box |
|
2SC6099 | Inchange Semiconductor |
Silicon NPN Power Transistor isc Silicon NPN Power Transistor
INCHANGE Semiconductor
2SC6099
DESCRIPTION ·Large current capacitance ·High-speed switching ·High allowable power dissipation ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLIC |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |