Datasheet RJP30E2DPK-M0 Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	RJP30E2DPK-M0	N-Channel Power MOSFET / Transistor Preliminary Datasheet RJP30E2DPK-M0 Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features • • • • Trench gate technology (G5H series) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.7 V typ High speed switching tf = 150 ns typ Low leak current ICES = 1 μA max R07DS0348EJ0100	Renesas

RJP30E2DPK Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
RJP30E2DPK-M0	N-Channel Power MOSFET / Transistor Preliminary Datasheet RJP30E2DPK-M0 Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features • • • • Trench gate technology (G5H series) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.7 V typ High speed switching tf = 150 ns typ Low leak current ICES = 1 μA	Renesas

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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