![]() |
R5402N101KD-TR-F даташит PDFЭто R5402n101kd-tr-f. На странице результатов поиска R5402N101KD-TR-F Даташиты отображается список соответствующих спецификаций на основе введенного ключевого слова или фразы. Предоставляет подробные спецификации и возможности сравнения, чтобы пользователи могли легко просматривать и выбирать продукты от широкого круга ведущих производителей. |
Показать результаты поиска |

Номер в каталоге | Производители | Описание | |
R5402N101KD-TR-F | ![]() ETC |
R5402N101KD-TR-F R5402N101KD
PRODUCT SPECIFICATIONS
R5402N101KD-TR-F
contents
[1] Outline [2] Block Diagram [3] Pin Descriptions [4] Absolute Maximum Ratings [5] Electrical Characteristics [6] Test Circuits [7] Operation [8] Technical Notes [9] Timing Diagrams [10] Package Dimensions [11] Mark Specification
- 1/11 -
R5402N101KD
[1] Outline
The R5402N101KD is high voltage tolerance CMOS-based protection IC for over-charge/discharge and over-current of rechargeable one-cell Lithium-ion (Li+)/Lithium polymer bat |
![]() |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | ![]() Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
![]() |
NE555 | ![]() ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
![]() |
введение сайта
Мы постоянно отслеживаем и анализируем поведение пользователей и поисковые запросы, чтобы повысить релевантность и точность результатов поиска. Мы отплатим вам лучшими результатами при следующем посещении. |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |