|
QD15XL09 даташитФункция этой детали – «Tft Lcd Module». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
QD15XL09 | Quanta |
TFT LCD Module Prepared Date: 9/15/2004
Doc No. QD15XL09-00 Doc. REV. : 00
Final Spec.
Quanta Display Inc. SPECIFICATION
Issue Date : 9/15/2004 Page: 27 pages ( Include cover page)
Specification for TFT LCD Module Model No.
QD15XL09
Rev.:01
Customer’s Approval
Date
Approved
By
By
These specification sheets are the proprietary product of Quanta Display Inc. (”QDI”) and include materials protected under copyright of QDI. Do not reproduce or cause any third party to reproduce them in any form or by any means, electronic |
Это результат поиска, начинающийся с "15XL09", "QD15X" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SA1509 | Sanyo Semicon Device |
EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTORS Datasheet.es
Datasheet pdf - http://Datasheet.esaSheet4U.net/
Datasheet.es
Datasheet pdf - http://Datasheet.esaSheet4U.net/
Datasheet.es
Datasheet pdf - http://Datasheet.esaSheet4U.net/
Datasheet.es
Datasheet pdf - http://Datasheet.esaSheet4U.net/
|
|
2SB1509 | Sanyo Semicon Device |
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Ordering number:EN3715
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
2SB1509/2SD2282
High-Current Switching Applications
Applications
· Relay drivers, high-speed inverters, converters.
Features
· Low collector-to-emitter saturation voltage : VCE(sat)=–0.5V max.
· Wide ASO a |
|
2SB1509 | SavantIC |
SILICON POWER TRANSISTOR SavantIC Semiconductor
Product Specification
Silicon PNP Power Transistors
2SB1509
DESCRIPTION ·With TO-3PML package ·Low collector saturation voltage ·Complement to type 2SD2282 ·Wide area of safe operation APPLICATIONS ·For use in relay drivers ,hig |
|
2SC1509 | Panasonic Semiconductor |
Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency driver amplification) Transistor
2SC1509
Silicon NPN epitaxial planer type
For low-frequency driver amplification Complementary to 2SA777
5.9± 0.2
Unit: mm
4.9± 0.2
q q
2.54± 0.15
(Ta=25˚C)
Ratings 80 80 5 1 0.5 1 150 –55 ~ +150 Unit V V V A A W ˚C ˚C
0.45–0.1 1.27
+0.2
Parameter Colle |
|
2SC1509 | New Jersey Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 3-Pin TO-92L-A1 |
|
2SD1509 | Toshiba Semiconductor |
Silicon NPN Epitaxial Type TRANSISTOR 2SD1509
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (Darlington Power Transistor)
2SD1509
Micro-Motor Drive, Hammer Drive Applications Switching Applications Power Amplifier Applications
Unit: mm
• High DC current gain: hFE = 2000 (min) (VCE = 2 V, IC = 1 A) • Low satura |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |