|
PTFA180701F даташитФункция этой детали – «Thermally-enhanced High Power Rf Ldmos Fet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
PTFA180701F | Infineon Technologies |
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET PTFA180701E PTFA180701F Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 70 W, 1805 – 1880 MHz
www.DataSheet4U.net
Description
The PTFA180701E and PTFA180701F are 70-watt LDMOS FETs designed for GSM and GSM EDGE power amplifier applications in the 1805 MHz to 1880 MHz band. Features include input and output matching, and thermallyenhanced packages with slotted or earless flanges. Manufactured with Infineon's advanced LDMOS process, these devices provide excellent thermal performance and superior reliability. PTFA180701E P |
Это результат поиска, начинающийся с "180701F", "PTFA1807" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
PTFA180701E | Infineon Technologies |
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET PTFA180701E PTFA180701F Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 70 W, 1805 – 1880 MHz
Datasheet.esaSheet4U.net
Description
The PTFA180701E and PTFA180701F are 70-watt LDMOS FETs designed for GSM and GSM EDGE power amplifier applications in the 1805 MHz to 1880 MHz band. Feature |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |