DataSheet26.com


PTFA180701F даташит

Функция этой детали – «Thermally-enhanced High Power Rf Ldmos Fet».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
PTFA180701F Infineon Technologies
Infineon Technologies
  Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET

PTFA180701E PTFA180701F Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 70 W, 1805 – 1880 MHz www.DataSheet4U.net Description The PTFA180701E and PTFA180701F are 70-watt LDMOS FETs designed for GSM and GSM EDGE power amplifier applications in the 1805 MHz to 1880 MHz band. Features include input and output matching, and thermallyenhanced packages with slotted or earless flanges. Manufactured with Infineon's advanced LDMOS process, these devices provide excellent thermal performance and superior reliability. PTFA180701E P
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "180701F", "PTFA1807"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
PTFA180701E Infineon Technologies
Infineon Technologies

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET

PTFA180701E PTFA180701F Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 70 W, 1805 – 1880 MHz Datasheet.esaSheet4U.net Description The PTFA180701E and PTFA180701F are 70-watt LDMOS FETs designed for GSM and GSM EDGE power amplifier applications in the 1805 MHz to 1880 MHz band. Feature
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты