PTF210451E даташит

Функция этой детали – «Ldmos Rf Power Field Effect Transistor 45 W/».

Показать результаты поиска

Номер в каталоге	Производители	Описание	PDF
PTF210451E	Infineon Technologies AG	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W/ 2110-2170 MHz PTF210451 LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W, 2110–2170 MHz Description The PTF210451 is a 45 W internally matched GOLDMOS FET intended for WCDMA applications from 2110 to 2170 MHz. Full gold metallization ensures excellent device lifetime and reliability. Features • • Internal matching for wideband performance Typical two–carrier WCDMA performance - Average output power = 11.5 W - Gain = 14 dB - Efficiency = 27% - IM3 = –37 dBc Typical CW performance - Output power at P–1dB = 50 W - Linear gain =

Это результат поиска, начинающийся с "210451E", "PTF2104"

Номер в каталоге	Производители	Описание	PDF
PTF210451	Infineon Technologies AG	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W/ 2110-2170 MHz PTF210451 LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W, 2110–2170 MHz Description The PTF210451 is a 45 W internally matched GOLDMOS FET intended for WCDMA applications from 2110 to 2170 MHz. Full gold metallization ensures excellent device lifetime and reliability. Features

[1]

Последние обновления

Номер в каталоге	Производители	Описание	PDF
2N3904	Unisonic Technologies	Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.
NE555	ST Microelectronics	Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

Index :

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com | 2020 | Контакты