DataSheet26.com


PJD5NA50 даташит

Функция этой детали – «500v N-channel Mosfet».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
PJD5NA50 Pan Jit International
Pan Jit International
  500V N-Channel MOSFET

PPJU5NA50 / PJD5NA50 / PJP5NA50 / PJF5NA50 500V N-Channel MOSFET Voltage 500 V Current 5A Features  RDS(ON), VGS@10V,[email protected]<1.55Ω  High switching speed  Improved dv/dt capability  Low Gate Charge  Low reverse transfer capacitance  Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive.  Green molding compound as per IEC61249 Std. (Halogen Free) Mechanical Data  Case: TO-251AA,TO-252AA ,TO-220AB, ITO-220AB-F Package  Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026  TO-251AA Ap
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "5NA50", "PJD5N"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
15NA50 STMicroelectronics
STMicroelectronics

STH15NA50

STH15NA50/FI STW15NA50 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE STH15NA50 STH15NA50FI STW15NA50 s s s s s s s V DSS 500 V 500 V 500 V R DS( on) < 0.4 Ω < 0.4 Ω < 0.4 Ω ID 14.6 A 9.3 A 14.6 A TO-247 TYPICAL RDS(on) = 0.33 Ω ± 30
pdf
H15NA50FI ST Microelectronics
ST Microelectronics

STH15NA50FI

STH15NA50/FI STW15NA50 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE STH15NA50 STH15NA50FI STW15NA50 VDSS 500 V 500 V 500 V R DS( on) < 0.4 Ω < 0.4 Ω < 0.4 Ω ID 14.6 A 9.3 A 14.6 A s TYPICAL RDS(on) = 0.33 Ω s ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING s 100%
pdf
PJF5NA50 Pan Jit International
Pan Jit International

500V N-Channel MOSFET

PPJU5NA50 / PJD5NA50 / PJP5NA50 / PJF5NA50 500V N-Channel MOSFET Voltage 500 V Current 5A Features  RDS(ON), VGS@10V,[email protected]<1.55Ω  High switching speed  Improved dv/dt capability  Low Gate Charge  Low reverse transfer capacitance  Lead free in compliance
pdf
PJP5NA50 Pan Jit International
Pan Jit International

500V N-Channel MOSFET

PPJU5NA50 / PJD5NA50 / PJP5NA50 / PJF5NA50 500V N-Channel MOSFET Voltage 500 V Current 5A Features  RDS(ON), VGS@10V,[email protected]<1.55Ω  High switching speed  Improved dv/dt capability  Low Gate Charge  Low reverse transfer capacitance  Lead free in compliance
pdf
PJU5NA50 Pan Jit International
Pan Jit International

500V N-Channel MOSFET

PPJU5NA50 / PJD5NA50 / PJP5NA50 / PJF5NA50 500V N-Channel MOSFET Voltage 500 V Current 5A Features  RDS(ON), VGS@10V,[email protected]<1.55Ω  High switching speed  Improved dv/dt capability  Low Gate Charge  Low reverse transfer capacitance  Lead free in compliance
pdf
STB5NA50 ST Microelectronics
ST Microelectronics

N-CHANNEL POWER MOSFET

STB5NA50 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE STB5NA50 n n n n n n n n V DSS 500 V R DS(on ) < 1.6 Ω ID 5 A n TYPICAL RDS(on) = 1.2 Ω ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING 100% AVALANCHE TESTED REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты