|
P60N06-16 даташитФункция этой детали – «Stp60n06-16». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
P60N06-16 | ST Microelectronics |
STP60N06-16 |
Это результат поиска, начинающийся с "60N06", "P60N06" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
382L332M160N062 | CDE |
High Capacitance Types 380L, 382L, 380LX & 382LX, 85 ЊC High-Capacitance Snap-In
Types 380L/LX & 4-pin Mount 382LX (85 °C)
The excellent value of Type 380L/LX capacitors finds application in switching power supply input and output circuits and even motor drives where the high surface area of mu |
|
383L272M160N062 | Cornell Dubilier |
Snap-In Aluminum Capacitors Type 381LX / 383LX 105 °C High Ripple, Snap-In Aluminum
High Ripple, Long Life, 2, 4 and 5 pin styles available
Specifications
Temperature Range Rated Voltage Range Capacitance Range Capacitance Tolerance Leakage Current Ripple Current Multipliers
Low Temperature Characteristic |
|
60N06 | Inchange Semiconductor |
N-Channel MOSFET Transistor INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
isc Product Specification
60N06
·DESCRIPTION ·Drain Current ID= 60A@ TC=25℃ ·Static Drain-Source On-Resistance
: RDS(on) = 18mΩ(Max) ·Fast Switching Speed ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance |
|
60N06 | Unisonic Technologies |
N-CHANNEL POWER MOSFET UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 60N06
60A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET
DESCRIPTION
Power MOSFET
The U TC 60N06 is N-c hannel en hancement mod e po wer field effect transistors with stable off-stat e charact eristics, fast switching speed, lo w thermal resistance, usually used |
|
CEB60N06G | CET |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor CEP60N06G/CEB60N06G
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FEATURES
60V, 60A, RDS(ON) = 16mΩ @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 package.
D
D |
|
CEP60N06G | CET |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor CEP60N06G/CEB60N06G
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FEATURES
60V, 60A, RDS(ON) = 16mΩ @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 package.
D
D |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |