DataSheet26.com


P60N06-16 даташит

Функция этой детали – «Stp60n06-16».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
P60N06-16 ST Microelectronics
ST Microelectronics
  STP60N06-16

pdf

Это результат поиска, начинающийся с "60N06", "P60N06"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
382L332M160N062 CDE
CDE

High Capacitance

Types 380L, 382L, 380LX & 382LX, 85 ЊC High-Capacitance Snap-In Types 380L/LX & 4-pin Mount 382LX (85 °C) The excellent value of Type 380L/LX capacitors finds application in switching power supply input and output circuits and even motor drives where the high surface area of mu
pdf
383L272M160N062 Cornell Dubilier
Cornell Dubilier

Snap-In Aluminum Capacitors

Type 381LX / 383LX 105 °C High Ripple, Snap-In Aluminum High Ripple, Long Life, 2, 4 and 5 pin styles available Specifications Temperature Range Rated Voltage Range Capacitance Range Capacitance Tolerance Leakage Current Ripple Current Multipliers Low Temperature Characteristic
pdf
60N06 Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor

N-Channel MOSFET Transistor

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor isc Product Specification 60N06 ·DESCRIPTION ·Drain Current ID= 60A@ TC=25℃ ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 18mΩ(Max) ·Fast Switching Speed ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance
pdf
60N06 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

N-CHANNEL POWER MOSFET

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 60N06 60A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET „ DESCRIPTION Power MOSFET The U TC 60N06 is N-c hannel en hancement mod e po wer field effect transistors with stable off-stat e charact eristics, fast switching speed, lo w thermal resistance, usually used
pdf
CEB60N06G CET
CET

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

CEP60N06G/CEB60N06G N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 60A, RDS(ON) = 16mΩ @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 package. D D
pdf
CEP60N06G CET
CET

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

CEP60N06G/CEB60N06G N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 60A, RDS(ON) = 16mΩ @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 package. D D
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты