|
|
|
|
На странице результатов поиска P5NC70Z Даташиты отображается список соответствующих спецификаций на основе введенного ключевого слова или фразы. Предоставляет подробные спецификации и возможности сравнения, чтобы пользователи могли легко просматривать и выбирать продукты от широкого круга ведущих производителей. |
P5NC70Z даташит PDF |
| Номер в каталоге | Описание | Производители | ||
| 1 | P5NC70Z | STP5NC70Z STP5NC70Z - STP5NC70ZFP STB5NC70Z - STB5NC70Z-1
N-CHANNEL 700V - 1.8Ω - 4.6A TO-220/FP/D²PAK/I²PAK Zener-Protected PowerMESH™III MOSFET
TYPE STP5NC70Z/FP
STB5NC70Z/-1
s s
VDSS 700V 700V
RDS(on) <2Ω <2Ω
ID 4.6 A 4.6 A
1 3
s s s
TYPICAL RDS(on) = 1.8 Ω EXTREMELY HIGH dv/dt AND CAPABILITY GATE TO - SOURCE ZENER DIODES 100% AVALANCHE TESTED VERY LOW GATE INPUT RESISTANCE GATE CHARGE MINIMIZED
D²PAK
1 2
3
TO-220
TO-220FP
12
3
DESCRIPTION The third generation of MESH OVERLAY™ Pow |
 STMicroelectronics |
 |
Это результат поиска, начинающийся с "P5N" |
| Номер в каталоге | Описание | Производители | |
| P5N50C | 5 Ampere 500 Volt N-Channel MOSFET P5N50C
®
Pb Free Plating Product
P5N50C
5 Ampere 500 Volt N-Channel MOSFET
{
̻
Pb
Features
̰ ̰ ̰ ̰ ̰
RDS(on) (Max 1.5 ˟ )@VGS=10V Gate Charge (Typical 18.5nC) Improved dv/dt Capability High ruggedness 100% Avalanche Tested
ඔ
2. Drain
BVDSS = 500V
̵
1. Gate
{
|
 Thinki Semiconductor |
 |
| P5NK90Z | STP5NK90Z STP5NK90Z STF5NK90Z
N-CHANNEL 900V - 2Ω - 4.5A TO-220/TO-220FP Zener-Protected SuperMESH™MOSFET
Table 1: General Features
TYPE STP5NK90Z STF5NK90Z
s
Figure 1: Package
ID 4.5 A 4.5 A (*) Pw 125 W 30 W
VDSS 900 V 900 V
RDS(on) < 2.5 Ω < 2.5 Ω
TYPICAL RDS(on) = 2 Ω s E |
STMicroelectronics |
|
| P5NC90 | STP5NC90 STP5NC90Z - STP5NC90ZFP STB5NC90Z - STB5NC90Z-1
N-CHANNEL 900V - 2.1Ω - 4.6A TO-220/FP/D²PAK/I²PAK Zener-Protected PowerMESH™III MOSFET
TYPE STP5NC90Z/FP
STB5NC90Z/-1
s s
VDSS 900V 900V
RDS(on) < 2.5Ω < 2.5Ω
ID 4.6 A 4.6 A
1 3
s s s
TYPICAL RDS( |
 ST Microelectronics |
|
| P5N50 | IXTP5N50P
Advance Technical Information
PolarHVTM Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
IXTA 5N50P IXTP 5N50P IXTY 5N50P
VDSS = 500 V = 4.8 A ID25 RDS(on) ≤ 1.4 Ω
Symbol VDSS VDGR VGSS VGSM ID25 IDM IAR EAR EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg TL
Test Conditions TJ = 25 |
 IXYS Corporation |
|
| P5NK65ZFP | STP5NK65ZFP STP5NK65ZFP
N-channel 650 V, 1.5 Ω, 4.5 A TO-220FP Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET
Features
Type STP5NK65ZFP
■ ■ ■ ■ ■ ■
VDSS 650 V
RDS(on) max < 1.8 Ω
ID 4.5 A
Pw 25 W
100% avalanche tested Extremely high dv/dt capability Gate charge minimized Very |
STMicroelectronics |
|
| P5N80 | FQP5N80 FQP5N80
FQP5N80
800V N-Channel MOSFET
September 2000
QFETTM
General Description
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored t |
 Fairchild Semiconductor |
|
| P5NK100Z | STP5NK100Z STP5NK100Z, STF5NK100Z STW5NK100Z
N-channel 1000 V, 2.7 Ω, 3.5 A, TO-220, TO-220FP, TO-247 SuperMESH3™ Power MOSFET
Features
Type STF5NK100Z STP5NK100Z STW5NK100Z
■ ■ ■ ■ ■
VDSS (@TJMAX) 1000 V 1000 V 1000 V
RDS(on)max < 3.7 Ω < 3.7 Ω < 3.7 Ω
ID
3
3.5 A 3.5 A |
STMicroelectronics |
|
| P5NA60FI | STP5NA60FI STP5NA60 STP5NA60FI
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
TYPE STP5NA60 STP5NA60FI
s s s s s s s
V DSS 600 V 600 V
R DS( on) < 1.6 Ω < 1.6 Ω
ID 5.3 A 3.4 A
TYPICAL RDS(on) = 1.35 Ω ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING 100% AVALANCHE TESTED REPETITIVE AV |
STMicroelectronics |
|
| P5N60FI | STP5N60FI Free Datasheet http://
Free Datasheet http://
Free Datasheet http://
Free Datasheet http://
Free Datasheet http://
Free Datasheet http://
Free Datasheet http:// |
STMicroelectronics |
|
| P5NB80 | STP5NB80
®
STP5NB80 STP5NB80FP
N - CHANNEL 800V - 1.8Ω - 5A - TO-220/TO-220FP PowerMESH™ MOSFET
TYPE ST P5NB80 ST P5NB80FP
s s s s s
V DSS 800 V 800 V
R DS(on) < 2.2 Ω < 2.2 Ω
ID 5 A 5 A
TYPICAL RDS(on) = 1.8 Ω EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY 100% AVA |
ST Microelectronics |
|
Ссылка Поделиться :
Последние обновления
| Номер в каталоге | Описание | Производители | |
| 2N3904 | Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
 Unisonic Technologies |
|
| NE555 | Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
 ST Microelectronics |
|
|
Мы постоянно отслеживаем и анализируем поведение пользователей и поисковые запросы, чтобы повысить релевантность и точность результатов поиска. Мы отплатим вам лучшими результатами при следующем посещении. |
| DataSheet26.com | 2020 | Контакты |