|
P5NA80 даташитФункция этой детали – «Stp5na80». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
P5NA80 | STMicroelectronics |
STP5NA80 ( DataSheet : )
STP5NA80 STP5NA80FI
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
TYPE
STP5NA80 STP5NA80FI
VDSS
800 V 800 V
RDS(on)
< 2.4 Ω < 2.4 Ω
ID
4.7 A 2.8 A
s TYPICAL RDS(on) = 1.8 Ω s ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING s 100% AVALANCHE TESTED s REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC s LOW INTRINSIC CAPACITANCES s GATE GHARGE MINIMIZED s REDUCED THRESHOLD VOLTAGE SPREAD
DESCRIPTION This series of POWER MOSFETS represents the most advanced high voltage technology. The optimiz |
|
P5NA80FI | ST Microelectronics |
STSTP5NA80FI ( DataSheet : )
STP5NA80 STP5NA80FI
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
TYPE STP5NA80 STP5NA80FI
s s s s s s s
VDSS 800 V 800 V
R DS(on) < 2.4 Ω < 2.4 Ω
ID 4.7 A 2.8 A
TYPICAL RDS(on) = 1.8 Ω ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING 100% AVALANCHE TESTED REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC LOW INTRINSIC CAPACITANCES GATE GHARGE MINIMIZED REDUCED THRESHOLD VOLTAGE SPREAD TO-220
3 1 2
3 1 2
DESCRIPTION This series of POWER MOSFETS represents the most advanced high voltage te |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |