|
P55NF06L даташитФункция этой детали – «Stp55nf06l». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
P55NF06L | STMicroelectronics |
STP55NF06L STP55NF06L STB55NF06L - STB55NF06L-1
N-channel 60V - 0.014Ω - 55A TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET™ II Power MOSFET
General features
Type STP55NF06L STB55NF06L STB55NF06L-1
VDSS 60V 60V 60V
RDS(on) <0.018Ω <0.018Ω <0.018Ω
■ Exceptional dv/dt capability ■ 100% avalanche tested ■ Application oriented characterization
ID 55A 55A 55A
Description
This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronis unique "Single Feature Size™" strip-based process. The resulting transistor shows extremely high |
Это результат поиска, начинающийся с "55NF06L", "P55NF" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
STB55NF06L | ST Microelectronics |
N-CHANNEL POWER MOSFET STP55NF06L STB55NF06L - STB55NF06L-1
N-channel 60V - 0.014Ω - 55A TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET™ II Power MOSFET
General features
Type STP55NF06L STB55NF06L STB55NF06L-1
VDSS 60V 60V 60V
RDS(on) <0.018Ω <0.018Ω <0.018Ω
■ Exceptional dv/dt capability ■ 100% avalan |
|
STB55NF06L-1 | ST Microelectronics |
N-CHANNEL POWER MOSFET STP55NF06L STB55NF06L - STB55NF06L-1
N-channel 60V - 0.014Ω - 55A TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET™ II Power MOSFET
General features
Type STP55NF06L STB55NF06L STB55NF06L-1
VDSS 60V 60V 60V
RDS(on) <0.018Ω <0.018Ω <0.018Ω
■ Exceptional dv/dt capability ■ 100% avalan |
|
STP55NF06L | ST Microelectronics |
N-CHANNEL POWER MOSFET STP55NF06L STB55NF06L - STB55NF06L-1
N-channel 60V - 0.014Ω - 55A TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET™ II Power MOSFET
General features
Type STP55NF06L STB55NF06L STB55NF06L-1
VDSS 60V 60V 60V
RDS(on) <0.018Ω <0.018Ω <0.018Ω
■ Exceptional dv/dt capability ■ 100% avalan |
|
STP55NF06LFP | ST Microelectronics |
N-CHANNEL POWER MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.014Ω - 55A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK STripFET™II POWER MOSFET
TYPE STP55NF06L STP55NF06LFP STB55NF06L STB55NF06L-1
s s s
STP55NF06L - STP55NF06LFP STB55NF06L - STB55NF06L-1
VDSS 60 V 60 V 60 V 60 V
RDS(on) <0.018 Ω <0.018 Ω <0.018 Ω <0.018 Ω
ID 55 55 |
|
2SC5506 | Sanyo Semicon Device |
Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Deflection Output Applications Ordering number:EN6070
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5506
Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Deflection Output Applications
Features
· High speed. · High breakdown voltage (VCBO=1600V). · High reliability (Adoption of HVP process). · Adoption of |
|
ADL5506 | Analog Devices |
RF Detector Data Sheet
FEATURES
Complete RF detector function Typical dynamic range: 45 dB Frequency range from 30 MHz to 4.5 GHz Excellent temperature stability Stable linear in decibel response Power on/off response time: 65 ns/145 ns (rise/fall)
−5 dBm input power applied Operates from |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |