|
P55NF06 даташит PDFЭто N-channel Power Mosfet Transistor. На странице результатов поиска P55NF06 Даташиты отображается список соответствующих спецификаций на основе введенного ключевого слова или фразы. Предоставляет подробные спецификации и возможности сравнения, чтобы пользователи могли легко просматривать и выбирать продукты от широкого круга ведущих производителей. |
Показать результаты поиска |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| P55NF06 |  Thinki Semiconductor |
N-CHANNEL POWER MOSFET TRANSISTOR 55NF06
®
Pb Free Plating Product
55NF06
Pb
N-CHANNEL POWER MOSFET TRANSISTOR
50 AMPERE 60 VOLT N-CHANNEL POWER MOSFET
DESCRIPTION
12 3 TO-251/IPAK
Thinkisemi 50N06 is three-terminal silicon device with current conduction capability of about 50A, fast switching speed. Low on-state resistance, breakdown voltage rating of 60V, and max threshold voltages of 4 volt. It is mainly suitable electronic ballast, and low power switching mode power appliances.
12
3
TO-220/TO-220F
FEATURES
12 3 TO-252/DPAK
* RDS( |
 |
| P55NF06 |  ST Microelectronics |
STP55NF06 STB55NF06, STP55NF06, STP55NF06FP
N-channel 60 V, 0.015 Ω, 50 A STripFET™ II Power MOSFET in D²PAK, TO-220 and TO-220FP packages
Datasheet — production data
Features
Order code STB55NF06 STP55NF06 STP55NF06FP
VDSS RDS(on) max.
ID
60 V
< 0.018 Ω
50 A 50 A (1)
1. Refer to soa for the max allowable current value on FP-type due to Rth value
■ 100% avalanche tested ■ Exceptional dv/dt capability
Applications
■ Switching application
Description
These Power MOSFETs have been developed using STMicroelec |
|
| P55NF06L |  STMicroelectronics |
STP55NF06L STP55NF06L STB55NF06L - STB55NF06L-1
N-channel 60V - 0.014Ω - 55A TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET™ II Power MOSFET
General features
Type STP55NF06L STB55NF06L STB55NF06L-1
VDSS 60V 60V 60V
RDS(on) <0.018Ω <0.018Ω <0.018Ω
■ Exceptional dv/dt capability ■ 100% avalanche tested ■ Application oriented characterization
ID 55A 55A 55A
Description
This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronis unique "Single Feature Size™" strip-based process. The resulting transistor shows extremely high |
|
Последние обновления
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 2N3904 |  Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
 |
| NE555 |  ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
|
введение сайта
|
Мы постоянно отслеживаем и анализируем поведение пользователей и поисковые запросы, чтобы повысить релевантность и точность результатов поиска. Мы отплатим вам лучшими результатами при следующем посещении. |
| DataSheet26.com | 2020 | Контакты |