DataSheet26.com


P4NB80 даташит

Функция этой детали – « Stp4nb80».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
P4NB80 STMicroelectronics
STMicroelectronics
   STP4NB80

® STP4NB80 STP4NB80FP N - CHANNEL 800V - 3Ω - 4A - TO-220/TO-220FP PowerMESH™ MOSFET TYPE STP4NB80 STP4NB80FP s s s s s V DSS 800 V 800 V R DS(on) 3.3 Ω 3.3 Ω ID 4A 4A TYPICAL RDS(on) = 3 Ω EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES GATE CHARGE MINIMIZED 3 1 2 3 1 2 DESCRIPTION Using the latest high voltage MESH OVERLAY™ process, STMicroelectronics has designed an advanced family of power MOSFETs with outstanding performances. The new pat
pdf
P4NB80FP STMicroelectronics
STMicroelectronics
  STP4NB80FP

pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты