![]() |
P4NB80 даташитФункция этой детали – « Stp4nb80». |
Показать результаты поиска |

Номер в каталоге | Производители | Описание | |
P4NB80 | ![]() STMicroelectronics |
STP4NB80 ®
STP4NB80 STP4NB80FP
N - CHANNEL 800V - 3Ω - 4A - TO-220/TO-220FP PowerMESH™ MOSFET
TYPE STP4NB80 STP4NB80FP
s s s s s
V DSS 800 V 800 V
R DS(on) 3.3 Ω 3.3 Ω
ID 4A 4A
TYPICAL RDS(on) = 3 Ω EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES GATE CHARGE MINIMIZED
3 1 2
3 1 2
DESCRIPTION Using the latest high voltage MESH OVERLAY™ process, STMicroelectronics has designed an advanced family of power MOSFETs with outstanding performances. The new pat |
![]() |
P4NB80FP | ![]() STMicroelectronics |
STP4NB80FP |
![]() |
[1]  
Последние обновления

Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | ![]() Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
![]() |
NE555 | ![]() ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
![]() |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |