|
P4NB100 даташитФункция этой детали – « Stp4nb100». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
P4NB100 | ST Microelectronics |
STP4NB100
®
STP4NB100 STP4NB100FP
N - CHANNEL 1000V - 4Ω - 3.8A - TO-220/TO-220FP PowerMESH™ MOSFET
TYPE ST P4NB100 ST P4NB100FP
s s s s s
V DSS 1000 V 1000 V
R DS(on) < 4.4 Ω < 4.4 Ω
ID 3.8 A 3.8 A
TYPICAL RDS(on) = 4 Ω EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES GATE CHARGE MINIMIZED
1
3 2
3 1 2
DESCRIPTION Using the latest high voltage MESH OVERLAY™ process, STMicroelectronics has designed an advanced family of power MOSFETs with outstanding p |
Это результат поиска, начинающийся с "4NB100", "P4NB" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
STP4NB100 | ST Microelectronics |
N-CHANNEL MOSFET ®
STP4NB100 STP4NB100FP
N - CHANNEL 1000V - 4Ω - 3.8A - TO-220/TO-220FP PowerMESH™ MOSFET
TYPE ST P4NB100 ST P4NB100FP
s s s s s
V DSS 1000 V 1000 V
R DS(on) < 4.4 Ω < 4.4 Ω
ID 3.8 A 3.8 A
TYPICAL RDS(on) = 4 Ω EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTE |
|
STP4NB100FP | ST Microelectronics |
N-CHANNEL MOSFET ®
STP4NB100 STP4NB100FP
N - CHANNEL 1000V - 4Ω - 3.8A - TO-220/TO-220FP PowerMESH™ MOSFET
TYPE ST P4NB100 ST P4NB100FP
s s s s s
V DSS 1000 V 1000 V
R DS(on) < 4.4 Ω < 4.4 Ω
ID 3.8 A 3.8 A
TYPICAL RDS(on) = 4 Ω EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTE |
|
1N4100 | Jinan Gude Electronic Device |
500mW LOW NOISE SILION ZENER DIODES |
|
1N4100 | Microsemi Corporation |
SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODES |
|
1N4100 | Knox SemiconductorInc |
LOW LEVEL ZENER DIODES LOW CURRENT: 250A - LOW NOISE LOW LEVEL ZENER DIODES LOW CURRENT: 250µA - LOW NOISE 1N4099-1N4121 ** 1N4614-1N4627
PART NUMBER 1N4099 1N4100 1N4101 1N4102 1N4103 1N4104 1N4105 1N4106 1N4107 1N4108 1N4109 1N4110 1N4111 1N4112 1N4113 1N4114 1N4115 1N4116 1N4117 1N4118 1N4119 1N4120 1N4121 1N4614 1N4615 1N4616 |
|
1N4100 | Compensated Deuices Incorporated |
LOW CURRENT OPERATION AT 250 uA • 1N4099-1 THRU 1N4135-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX, JANTXV AND JANS PER MIL-PRF-19500/435 • LOW CURRENT OPERATION AT 250 µ A • LOW REVERSE LEAKAGE AND LOW NOISE CHARACTERISTICS • METALLURGICALLY BONDED
1N4099 thru 1N4135 and 1N4099-1 thru 1N4135-1
MAXIMUM RATINGS
Junctio |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |