![]() |
P3NB80FP даташит PDFЭто Stp3nb80fp. На странице результатов поиска P3NB80FP Даташиты отображается список соответствующих спецификаций на основе введенного ключевого слова или фразы. Предоставляет подробные спецификации и возможности сравнения, чтобы пользователи могли легко просматривать и выбирать продукты от широкого круга ведущих производителей. |
Показать результаты поиска |

Номер в каталоге | Производители | Описание | |
P3NB80FP | ![]() ST Microelectronics |
STP3NB80FP m o .c U 4 STP3NB80 t e STP3NB80FP e h S N - CHANNEL 800V - 4.6Ω - 2.6A - TO-220/TO-220FP a t PowerMESH™ MOSFET a .D w w w
®
TYPE
V DSS
R DS(on)
ID
STP3NB80 STP3NB80FP
800 V 800 V
< 6.5 Ω < 6.5 Ω
2.6 A 2.6 A
s s s s s
TYPICAL RDS(on) = 4.6 Ω EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES GATE CHARGE MINIMIZED
DESCRIPTION Using the latest high voltage MESH OVERLAY™ process, STMicroelectronics has designed an advanced family of power MOSFE |
![]() |
Это результат поиска, начинающийся с "3NB80FP", "P3NB8" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
STP3NB80FP | ![]() ST Microelectronics |
N - CHANNEL PowerMESH MOSFET m o .c U 4 STP3NB80 t e STP3NB80FP e h S N - CHANNEL 800V - 4.6Ω - 2.6A - TO-220/TO-220FP a t PowerMESH™ MOSFET a .D w w w
®
TYPE V DSS R DS(on) ID STP3NB80 STP3NB80FP 800 V 800 V < 6.5 Ω < 6.5 Ω 2.6 A 2.6 A
s s s s s
TYPICAL RDS(on) = 4.6 Ω EXTREMELY HIGH dv/dt CAPAB |
![]() |
1L0380RB | ![]() Fairchild Semiconductor |
KA1L0380RB www.fairchildsemi.com
KA1L0380B/KA1L0380RB/KA1M0380RB/ KA1H0380RB
Fairchild Power Switch(SPS)
Features
• Precision fixed operating frequency • KA1L0380B/KA1L0380RB (50KHz) • KA1M0380RB (67KHz) • KA1H0380RB (100KHz) • Pulse by pulse over current limi |
![]() |
1M0380R | ![]() Fairchild |
KA1M0380R www.fairchildsemi.com
KA1L0380B/KA1L0380RB/KA1M0380RB/ KA1H0380RB
Fairchild Power Switch(SPS)
Features
• • • • • • • • • • • Precision fixed operating frequency KA1L0380B/KA1L0380RB (50KHz) KA1M0380RB (67KHz) KA1H0380RB (100KHz) Pulse by pulse over current |
![]() |
1N3800 | ![]() New Jersey Semiconductor |
Diode Forward Ref. Stabistor 1.75V 2-Pin DO-35 |
![]() |
1N3800A | ![]() New Jersey Semiconductor |
Diode Forward Ref. Stabistor 1.75V 2-Pin DO-35 |
![]() |
1N3800B | ![]() New Jersey Semiconductor |
Diode Forward Ref. Stabistor 1.75V 2-Pin DO-35 |
![]() |
Последние обновления

Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | ![]() Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
![]() |
NE555 | ![]() ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
![]() |
введение сайта
Мы постоянно отслеживаем и анализируем поведение пользователей и поисковые запросы, чтобы повысить релевантность и точность результатов поиска. Мы отплатим вам лучшими результатами при следующем посещении. |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |