|
P3NB80 даташитФункция этой детали – « Stp3nb80». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
P3NB80 | ST Microelectronics |
STP3NB80 m o .c U 4 STP3NB80 t e STP3NB80FP e h S N - CHANNEL 800V - 4.6Ω - 2.6A - TO-220/TO-220FP a t PowerMESH™ MOSFET a .D w w w
®
TYPE
V DSS
R DS(on)
ID
STP3NB80 STP3NB80FP
800 V 800 V
< 6.5 Ω < 6.5 Ω
2.6 A 2.6 A
s s s s s
TYPICAL RDS(on) = 4.6 Ω EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES GATE CHARGE MINIMIZED
DESCRIPTION Using the latest high voltage MESH OVERLAY™ process, STMicroelectronics has designed an advanced family of power MOSFE |
|
P3NB80FP | ST Microelectronics |
STP3NB80FP |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |