|
P36NE06 даташитФункция этой детали – «Stp36ne06». |
Показать результаты поиска |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| P36NE06 |  ST Microelectronics |
STP36NE06 ( DataSheet : )
®
STP36NE06 STP36NE06FP
N - CHANNEL 60V - 0.032Ω - 36A - TO-220/TO-220FP STripFET™ POWER MOSFET
TYPE STP36NE06 STP36NE06FP
s s s s s
V DSS 60 V 60 V
R DS(on) < 0.040 Ω < 0.040 Ω
ID 36 A 20 A
TYPICAL RDS(on) = 0.032 Ω EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED LOW GATE CHARGE 100 oC APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION
1
3 2
1 2
3
DESCRIPTION This Power Mosfet is the latest development of SGS-THOMSON unique "Single Feature Size™ " st |
 |
Это результат поиска, начинающийся с "36NE06", "P36N" |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| STP36NE06 | ST Microelectronics |
N-CHANNEL 60V - 0.032ohm - 36A - TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET ( DataSheet : )
®
STP36NE06 STP36NE06FP
N - CHANNEL 60V - 0.032Ω - 36A - TO-220/TO-220FP STripFET™ POWER MOSFET
TYPE STP36NE06 STP36NE06FP
s s s s s
V DSS 60 V 60 V
R DS(on) < 0.040 Ω < 0.040 Ω
ID 36 A 20 A
TYPICAL RDS(on) = 0.032 Ω EXCEPTION |
 |
| STP36NE06 |  New Jersey Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
|
| STP36NE06FP | ST Microelectronics |
N-CHANNEL 60V - 0.032ohm - 36A - TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET ( DataSheet : )
®
STP36NE06 STP36NE06FP
N - CHANNEL 60V - 0.032Ω - 36A - TO-220/TO-220FP STripFET™ POWER MOSFET
TYPE STP36NE06 STP36NE06FP
s s s s s
V DSS 60 V 60 V
R DS(on) < 0.040 Ω < 0.040 Ω
ID 36 A 20 A
TYPICAL RDS(on) = 0.032 Ω EXCEPTION |
|
| 23HS3606-04 |  ETC |
Hybrid Stepper Motors HYBRID STEPPING MOTORS
0.9˚
2-PHASE 1.8˚ 3.6˚
23HS SERIES 1.8°
Key Features
I High Torque I High Accuracy I Smooth Movement
General Specifications
Bi-polar
Model Number
23HS0402-02 23HS0403-02 23HS0404-01 23HS0406 23HS0411 23HS0412 23HS0413 23HS1407 23HS1408 23HS2403 23 |
|
| 2SC3606 |  Toshiba Semiconductor |
Silicon NPN Epitaxial Planar Type Transistor TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type
2SC3606
2SC3606
VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications
Unit: mm
· Low noise figure, high gain. · NF = 1.1dB, |S21e|2 = 11dB (f = 1 GHz)
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Collector-base voltage Collecto |
|
| 2SC3606 |  Kexin |
Transistor SMD Type
Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC3606
SOT-23
+0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4-0.1
Transistors IC
Unit: mm
Features
+0.1 2.4-0.1
Low noise figure, high gain. NF = 1.1dB, |S21e|2 = 11dB (f = 1 GHz)
+0.1 1.3-0.1
1
+0.1 0.95-0.1 +0.1 1.9-0.1
2
0.55
0.4
3
+0.05 0.1-0.01
|
|
[1]
Последние обновления
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 2N3904 |  Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
| NE555 |  ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
|
| DataSheet26.com | 2020 | Контакты |