DataSheet26.com


P36NE06 даташит

Функция этой детали – «Stp36ne06».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
P36NE06 ST Microelectronics
ST Microelectronics
  STP36NE06

( DataSheet : ) ® STP36NE06 STP36NE06FP N - CHANNEL 60V - 0.032Ω - 36A - TO-220/TO-220FP STripFET™ POWER MOSFET TYPE STP36NE06 STP36NE06FP s s s s s V DSS 60 V 60 V R DS(on) < 0.040 Ω < 0.040 Ω ID 36 A 20 A TYPICAL RDS(on) = 0.032 Ω EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED LOW GATE CHARGE 100 oC APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION 1 3 2 1 2 3 DESCRIPTION This Power Mosfet is the latest development of SGS-THOMSON unique "Single Feature Size™ " st
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "36NE06", "P36N"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
STP36NE06 ST Microelectronics
ST Microelectronics

N-CHANNEL 60V - 0.032ohm - 36A - TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET

( DataSheet : ) ® STP36NE06 STP36NE06FP N - CHANNEL 60V - 0.032Ω - 36A - TO-220/TO-220FP STripFET™ POWER MOSFET TYPE STP36NE06 STP36NE06FP s s s s s V DSS 60 V 60 V R DS(on) < 0.040 Ω < 0.040 Ω ID 36 A 20 A TYPICAL RDS(on) = 0.032 Ω EXCEPTION
pdf
STP36NE06 New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220

pdf
STP36NE06FP ST Microelectronics
ST Microelectronics

N-CHANNEL 60V - 0.032ohm - 36A - TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET

( DataSheet : ) ® STP36NE06 STP36NE06FP N - CHANNEL 60V - 0.032Ω - 36A - TO-220/TO-220FP STripFET™ POWER MOSFET TYPE STP36NE06 STP36NE06FP s s s s s V DSS 60 V 60 V R DS(on) < 0.040 Ω < 0.040 Ω ID 36 A 20 A TYPICAL RDS(on) = 0.032 Ω EXCEPTION
pdf
23HS3606-04 ETC
ETC

Hybrid Stepper Motors

HYBRID STEPPING MOTORS 0.9˚ 2-PHASE 1.8˚ 3.6˚ 23HS SERIES 1.8° Key Features I High Torque I High Accuracy I Smooth Movement General Specifications Bi-polar Model Number 23HS0402-02 23HS0403-02 23HS0404-01 23HS0406 23HS0411 23HS0412 23HS0413 23HS1407 23HS1408 23HS2403 23
pdf
2SC3606 Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

Silicon NPN Epitaxial Planar Type Transistor

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC3606 2SC3606 VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit: mm · Low noise figure, high gain. · NF = 1.1dB, |S21e|2 = 11dB (f = 1 GHz) Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristics Collector-base voltage Collecto
pdf
2SC3606 Kexin
Kexin

Transistor

SMD Type Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC3606 SOT-23 +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4-0.1 Transistors IC Unit: mm Features +0.1 2.4-0.1 Low noise figure, high gain. NF = 1.1dB, |S21e|2 = 11dB (f = 1 GHz) +0.1 1.3-0.1 1 +0.1 0.95-0.1 +0.1 1.9-0.1 2 0.55 0.4 3 +0.05 0.1-0.01
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты