DataSheet26.com


P2NA60 даташит

Функция этой детали – «Pjp2na60».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
P2NA60 Pan Jit
Pan Jit
  PJP2NA60

PPJU2NA60 / PJP2NA60 / PJF2NA60 / PJD2NA60 600V N-Channel MOSFET Voltage Features  RDS(ON), VGS@10V,ID@1A<4.4Ω  High switching speed  Improved dv/dt capability  Low Gate Charge  Low reverse transfer capacitance  Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive.  Green molding compound as per IEC61249 Std. 600 V Current 2A (Halogen Free) Mechanical Data  Case : TO-251AB ,TO-220AB, ITO-220AB, TO-252 Package  Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026  TO-251AB Approx.
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "2NA60", "P2N"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
H12NA60 STMicroelectronics
STMicroelectronics

STH12NA60

STH12NA60/FI STW12NA60 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE STH12NA60 STH12NA60FI STW12NA60 VDSS 600 V 600 V 600 V R DS( on) < 0.6 Ω < 0.6 Ω < 0.6 Ω ID 12 A 7A 12 A s TYPICAL RDS(on) = 0.44 Ω s ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING s 100% AVALAN
pdf
PJD2NA60 Pan Jit International
Pan Jit International

600V N-Channel MOSFET

PPJU2NA60 / PJP2NA60 / PJF2NA60 / PJD2NA60 600V N-Channel MOSFET Voltage Features  RDS(ON), VGS@10V,ID@1A<4.4Ω  High switching speed  Improved dv/dt capability  Low Gate Charge  Low reverse transfer capacitance  Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU
pdf
PJF2NA60 Pan Jit International
Pan Jit International

600V N-Channel MOSFET

PPJU2NA60 / PJP2NA60 / PJF2NA60 / PJD2NA60 600V N-Channel MOSFET Voltage Features  RDS(ON), VGS@10V,ID@1A<4.4Ω  High switching speed  Improved dv/dt capability  Low Gate Charge  Low reverse transfer capacitance  Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU
pdf
PJP2NA60 Pan Jit International
Pan Jit International

600V N-Channel MOSFET

PPJU2NA60 / PJP2NA60 / PJF2NA60 / PJD2NA60 600V N-Channel MOSFET Voltage Features  RDS(ON), VGS@10V,ID@1A<4.4Ω  High switching speed  Improved dv/dt capability  Low Gate Charge  Low reverse transfer capacitance  Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU
pdf
PJU2NA60 Pan Jit International
Pan Jit International

600V N-Channel MOSFET

PPJU2NA60 / PJP2NA60 / PJF2NA60 / PJD2NA60 600V N-Channel MOSFET Voltage Features  RDS(ON), VGS@10V,ID@1A<4.4Ω  High switching speed  Improved dv/dt capability  Low Gate Charge  Low reverse transfer capacitance  Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU
pdf
STD2NA60 ST Microelectronics
ST Microelectronics

N-CHANNEL MOSFET

STD2NA60 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE STD2NA60 s s s s s V DSS 600 V R DS( on) < 4Ω ID 2.3 A s s TYPICAL RDS(on) = 3.3 Ω AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY 100% AVALANCHE TESTED REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты