![]() |
P2NA60 даташит PDFЭто Pjp2na60. На странице результатов поиска P2NA60 Даташиты отображается список соответствующих спецификаций на основе введенного ключевого слова или фразы. Предоставляет подробные спецификации и возможности сравнения, чтобы пользователи могли легко просматривать и выбирать продукты от широкого круга ведущих производителей. |
Показать результаты поиска |

Номер в каталоге | Производители | Описание | |
P2NA60 | ![]() Pan Jit |
PJP2NA60 PPJU2NA60 / PJP2NA60 / PJF2NA60 / PJD2NA60
600V N-Channel MOSFET
Voltage Features
RDS(ON), VGS@10V,ID@1A<4.4Ω High switching speed Improved dv/dt capability Low Gate Charge Low reverse transfer capacitance Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive. Green molding compound as per IEC61249 Std.
600 V
Current
2A
(Halogen Free)
Mechanical Data
Case : TO-251AB ,TO-220AB, ITO-220AB, TO-252 Package Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026 TO-251AB Approx. |
![]() |
Это результат поиска, начинающийся с "2NA60", "P2N" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
H12NA60 | ![]() STMicroelectronics |
STH12NA60 STH12NA60/FI STW12NA60
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
TYPE
STH12NA60 STH12NA60FI STW12NA60
VDSS
600 V 600 V 600 V
R DS( on)
< 0.6 Ω < 0.6 Ω < 0.6 Ω
ID
12 A 7A 12 A
s TYPICAL RDS(on) = 0.44 Ω s ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING s 100% AVALAN |
![]() |
PJD2NA60 | ![]() Pan Jit International |
600V N-Channel MOSFET PPJU2NA60 / PJP2NA60 / PJF2NA60 / PJD2NA60
600V N-Channel MOSFET
Voltage Features
RDS(ON), VGS@10V,ID@1A<4.4Ω High switching speed Improved dv/dt capability Low Gate Charge Low reverse transfer capacitance Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU |
![]() |
PJF2NA60 | ![]() Pan Jit International |
600V N-Channel MOSFET PPJU2NA60 / PJP2NA60 / PJF2NA60 / PJD2NA60
600V N-Channel MOSFET
Voltage Features
RDS(ON), VGS@10V,ID@1A<4.4Ω High switching speed Improved dv/dt capability Low Gate Charge Low reverse transfer capacitance Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU |
![]() |
PJP2NA60 | ![]() Pan Jit International |
600V N-Channel MOSFET PPJU2NA60 / PJP2NA60 / PJF2NA60 / PJD2NA60
600V N-Channel MOSFET
Voltage Features
RDS(ON), VGS@10V,ID@1A<4.4Ω High switching speed Improved dv/dt capability Low Gate Charge Low reverse transfer capacitance Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU |
![]() |
PJU2NA60 | ![]() Pan Jit International |
600V N-Channel MOSFET PPJU2NA60 / PJP2NA60 / PJF2NA60 / PJD2NA60
600V N-Channel MOSFET
Voltage Features
RDS(ON), VGS@10V,ID@1A<4.4Ω High switching speed Improved dv/dt capability Low Gate Charge Low reverse transfer capacitance Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU |
![]() |
STD2NA60 | ![]() ST Microelectronics |
N-CHANNEL MOSFET STD2NA60
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
TYPE STD2NA60
s s s s s
V DSS 600 V
R DS( on) < 4Ω
ID 2.3 A
s
s
TYPICAL RDS(on) = 3.3 Ω AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY 100% AVALANCHE TESTED REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION |
![]() |
Последние обновления

Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | ![]() Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
![]() |
NE555 | ![]() ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
![]() |
введение сайта
Мы постоянно отслеживаем и анализируем поведение пользователей и поисковые запросы, чтобы повысить релевантность и точность результатов поиска. Мы отплатим вам лучшими результатами при следующем посещении. |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |