P2NA60 даташит PDF

Это Pjp2na60. На странице результатов поиска P2NA60 Даташиты отображается список соответствующих спецификаций на основе введенного ключевого слова или фразы. Предоставляет подробные спецификации и возможности сравнения, чтобы пользователи могли легко просматривать и выбирать продукты от широкого круга ведущих производителей.

Показать результаты поиска

Номер в каталоге	Производители	Описание	PDF
P2NA60	Pan Jit	PJP2NA60 PPJU2NA60 / PJP2NA60 / PJF2NA60 / PJD2NA60 600V N-Channel MOSFET Voltage Features  RDS(ON), VGS@10V,ID@1A<4.4Ω  High switching speed  Improved dv/dt capability  Low Gate Charge  Low reverse transfer capacitance  Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive.  Green molding compound as per IEC61249 Std. 600 V Current 2A (Halogen Free) Mechanical Data  Case : TO-251AB ,TO-220AB, ITO-220AB, TO-252 Package  Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026  TO-251AB Approx.

Это результат поиска, начинающийся с "2NA60", "P2N"

Номер в каталоге	Производители	Описание	PDF
H12NA60	STMicroelectronics	STH12NA60 STH12NA60/FI STW12NA60 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE STH12NA60 STH12NA60FI STW12NA60 VDSS 600 V 600 V 600 V R DS( on) < 0.6 Ω < 0.6 Ω < 0.6 Ω ID 12 A 7A 12 A s TYPICAL RDS(on) = 0.44 Ω s ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING s 100% AVALAN
PJD2NA60	Pan Jit International	600V N-Channel MOSFET PPJU2NA60 / PJP2NA60 / PJF2NA60 / PJD2NA60 600V N-Channel MOSFET Voltage Features  RDS(ON), VGS@10V,ID@1A<4.4Ω  High switching speed  Improved dv/dt capability  Low Gate Charge  Low reverse transfer capacitance  Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU
PJF2NA60	Pan Jit International	600V N-Channel MOSFET PPJU2NA60 / PJP2NA60 / PJF2NA60 / PJD2NA60 600V N-Channel MOSFET Voltage Features  RDS(ON), VGS@10V,ID@1A<4.4Ω  High switching speed  Improved dv/dt capability  Low Gate Charge  Low reverse transfer capacitance  Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU
PJP2NA60	Pan Jit International	600V N-Channel MOSFET PPJU2NA60 / PJP2NA60 / PJF2NA60 / PJD2NA60 600V N-Channel MOSFET Voltage Features  RDS(ON), VGS@10V,ID@1A<4.4Ω  High switching speed  Improved dv/dt capability  Low Gate Charge  Low reverse transfer capacitance  Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU
PJU2NA60	Pan Jit International	600V N-Channel MOSFET PPJU2NA60 / PJP2NA60 / PJF2NA60 / PJD2NA60 600V N-Channel MOSFET Voltage Features  RDS(ON), VGS@10V,ID@1A<4.4Ω  High switching speed  Improved dv/dt capability  Low Gate Charge  Low reverse transfer capacitance  Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU
STD2NA60	ST Microelectronics	N-CHANNEL MOSFET STD2NA60 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE STD2NA60 s s s s s V DSS 600 V R DS( on) < 4Ω ID 2.3 A s s TYPICAL RDS(on) = 3.3 Ω AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY 100% AVALANCHE TESTED REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION

[1]

Последние обновления

Номер в каталоге	Производители	Описание	PDF
2N3904	Unisonic Technologies	Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.
NE555	ST Microelectronics	Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

введение сайта

Мы постоянно отслеживаем и анализируем поведение пользователей и поисковые запросы, чтобы повысить релевантность и точность результатов поиска. Мы отплатим вам лучшими результатами при следующем посещении.

Index :

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J    K    L

  M    N    O    P    Q

DataSheet26.com | 2020 | Контакты