|
P2E7 даташитФункция этой детали – «Diode ( Rectifier )». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
P2E7 | American Microsemiconductor |
Diode ( Rectifier ) |
Это результат поиска, начинающийся с "2E7", "P" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
HG62E75 | Hitachi Semiconductor |
CMOS GATE ARRAY |
|
LD242E7800 | Siemens Group |
GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter
LD 242
ø0.45
2.54 mm spacing
Chip position
ø4.3 ø4.1
1 0.9 .1 1.1 .9 0
2.7
1
14.5 12.5
3.6 3.0
ø5.5 ø5.2
GET06625
Anode (LD 242, BPX 63, SFH 464) Cathode (SFH 483) Approx. weight 0.5 g
Maße in mm, wenn nicht anders a |
|
M38002E7-XXXFP | Mitsubishi |
8-BIT SINGLE-CHIP MICROCOMPUTER |
|
M38002E7-XXXFP | Mitsubishi |
8-BIT SINGLE-CHIP MICROCOMPUTER |
|
M38002E7-XXXFS | Mitsubishi |
8-BIT SINGLE-CHIP MICROCOMPUTER |
|
M38002E7-XXXFS | Mitsubishi |
8-BIT SINGLE-CHIP MICROCOMPUTER |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |