|
P0903BTG даташитФункция этой детали – «N-channel LogIC Level Enhancement Mode Field Effect Transistor». |
Показать результаты поиска |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| P0903BTG |  UNIKC |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET P0903BTG
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
25V 9.5mΩ @VGS = 10V
ID 64A
TO-220
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
LIMITS
Drain-Source Voltage
VDS 25
Gate-Source Voltage
VGS ±20
Continuous Drain Current2 Pulsed Drain Current 1
TC = 25 °C TC = 100 °C
ID IDM
64 40 150
Avalanche Current
IAS 35
Avalanche Energy
L = 0.1mH
EAS
64
Power Dissipation
TC = 25 °C TC = 100 °C
PD
62.5 25
Operating Junction & |
 |
| P0903BTG |  Niko |
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor NIKO-SEM
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
P0903BTG
TO-220 Lead-Free
D
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
25 9.5m
ID 50A
G
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current Pulsed Drain Current1
TC = 25 °C TC = 100 °C
Avalanche Current
Avalanche Energy Repetitive Avalanche Energy2
L = 0.1mH L = 0.05mH
Power Dissipation
TC = 25 °C TC = 100 °C
Operating Junction & Storage Tempera |
|
[1]
Последние обновления
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 2N3904 |  Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
 |
| NE555 |  ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
|
| DataSheet26.com | 2020 | Контакты |