DataSheet26.com


P0903BDG даташит

Функция этой детали – «50a, 25v, N-channel LogIC Level Enhancement Mode Field».



P0903BDG is a specific type of power MOSFET transistor that is commonly used in DC-DC converter applications. It is manufactured by NIKO-SEM, a leading semiconductor company.

Features:

1. Low on-resistance and fast switching speed result in high efficiency

2. Maximum voltage and current ratings make it suitable for a range of applications

3. Surface mount package allows for easy mounting and heat dissipation

4. Low gate charge results in less power dissipation and simplified control circuitry

Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
P0903BDG UNIKC
UNIKC
  56A, 25V, N-Channel Enhancement Mode MOSFET

P0903BDG N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) 25V 9.5mΩ @VGS = 10V ID 56A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS Drain-Source Voltage VDS 25 Gate-Source Voltage VGS ±20 Continuous Drain Current Pulsed Drain Current1 TC= 25 °C TC= 100 °C ID IDM 56 35 160 Avalanche Current IAS 34 Avalanche Energy L=0.1mH EAS 60 Power Dissipation TC= 25 °C TC= 100°C PD 49 20 Junction & Storage Temperature
pdf
P0903BDG Niko
Niko
  50A, 25V, N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

NIKO-SEM N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor P0903BDG TO-252 (DPAK) Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS 25 RDS(ON) 9.5m ID 50A 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE G S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL VGS TC = 25 °C TC = 100 °C ID IDM IAR L = 0.1mH 2 LIMITS ±20 50 35 200 40 250 8.6 50 30 -55 to 150 275 UNITS V Gate-Source Voltage Continuous Drain Current Pulsed Drain Current Avalanche Current Avalanche Energy
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты