|
OZ9928 даташитФункция этой детали – « Dual Ccfl Inverter Controller». |
Показать результаты поиска |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| OZ9928 |  O2micro |
Dual CCFL inverter controller www.DataSheet.co.kr
Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/
|
 |
Это результат поиска, начинающийся с "9928", "OZ9" |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| AD9928 |  Analog Devices |
Dual Channel 14-Bit CCD Signal Processor Data Sheet
Dual-Channel, 14-Bit CCD Signal Processor with V-Driver and Precision Timing Generator
AD9928
FEATURES
GENERAL DESCRIPTION
60 MHz grade available (AD9928BBCZ-60) Registers similar to AD9920A and AD9990 Timing generator with 18-channel V-driver Serial data output wi |
 |
| AF9928N |  Anachip |
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
AF9928N
Features
- Low On-resistance - Capable of 2.5V Gate Drive - Optimal DC/DC battery application
General Description
The advanced power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized devic |
|
| AP9928EO |  Advanced Power Electronics |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET AP9928EO
Advanced Power Electronics Corp.
▼ Low on-resistance ▼ Capable of 2.5V gate drive
D2 S2 G2 S2
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
BVDSS RDS(ON)
S1 D1 G1 S1
20V 23mΩ 5A
▼ Optimal DC/DC battery application
TSSOP-8
ID
Description
The A |
|
| AP9928GEO | Advanced Power Electronics |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET AP9928GEO
Pb Free Plating Product
Advanced Power Electronics Corp.
▼ Low on-resistance ▼ Capable of 2.5V gate drive ▼ ▼ Optimal DC/DC battery application
D2 S2 G2 S2
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
BVDSS RDS(ON)
S1 D1 G1 S1
20V 23mΩ 5A
TS |
|
| APM9928 |  Anpec Electronics Coropration |
Dual Enhancement Mode MOSFET APM9928
Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel)
Features
•
N-Channel 20V/5A , RDS(ON)=35mΩ(typ.) @ VGS=4.5V RDS(ON)=50mΩ(typ.) @ VGS=3.0V
Pin Description
5 / 5 / ! " & % $ # , , , ,
•
P-Channel -20V/-3.2A , RDS(ON)=80mΩ(typ.) @ VGS=-4.5V RDS(ON)=120m |
|
| GTS9928E |  GTM |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Pb Free Plating Product
ISSUED DATE :2004/10/13 REVISED DATE :2005/08/10B
GTS9928E
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
BVDSS RDS(ON) ID
20V 22m 5A
The GTS9928E provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design |
|
[1]
Последние обновления
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 2N3904 |  Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
| NE555 |  ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
|
| DataSheet26.com | 2020 | Контакты |