|
OM7509SC даташитФункция этой детали – «Dual Positive And Negative Fixed Voltage Regulators». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
OM7509SC | ETC |
DUAL POSITIVE AND NEGATIVE FIXED VOLTAGE REGULATORS OM7500SC
DUAL POSITIVE AND NEGATIVE FIXED VOLTAGE REGULATORS
Dual 5V, 12V and 15V, 1.5 Amp Fixed Voltage Regulators In Single Hermetic MO-078AA Package
FEATURES
• • • • • • • • Positive And Negative Regulators In One Package Hermetic 5-Pin Metal Package, JEDEC MO-078AA Isolated Case Output Voltages 5V, 12V and 15V; Other Voltages Available Output Voltages Set Internally To ±2.0% Built-In Thermal Overload Protection Short Circuit Current Limiting Product Is Available Screened To MIL-S-19500, TX, TXV An |
Это результат поиска, начинающийся с "7509SC", "OM750" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1447509 | C&D Technologies |
Bobbin Type Inductors |
|
1447509 | C&D Technologies |
Bobbin Type Inductors |
|
1447509C | Murata |
Bobbin Type Inductors www.murata-ps.com
1400 Series
Bobbin Type Inductors
FEATURES n RoHS compliant n Radial format n -40°C to 85°C operating temperature n Up to 13A IDC n 10μH to 22mH n Low DC resistance n Fully tinned leads n PCB mounting hole n Low temperature dependence n Backward compatible |
|
BUK7509-55A | NXP Semiconductors |
N-channel TrenchMOS standard level FET TO -22 0A B
BUK7509-55A
N-channel TrenchMOS standard level FET
Rev. 02 — 2 February 2011 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This |
|
BUK7509-75A | NXP Semiconductors |
N-channel TrenchMOS standard level FET TO -22 0A B
BUK7509-75A
N-channel TrenchMOS standard level FET
Rev. 03 — 21 February 2011 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. Thi |
|
IRF7509 | International Rectifier |
Power MOSFET(Vdss=+-30V) PD - 91270J
IRF7509
HEXFET® Power MOSFET
q q q q q q q
Generation V Technology Ultra Low On-Resistance Dual N and P Channel MOSFET Very Small SOIC Package Low Profile (<1.1mm) Available in Tape & Reel Fast Switching
S1 G1 S2 G2
N-C HANNE L M O S F E T 1 8
D1 D1 D2 D2
N-Ch
|
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |