DataSheet26.com


NTUD3171PZ даташит

Функция этой детали – «Small Signal Mosfet».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
NTUD3171PZ ON Semiconductor
ON Semiconductor
  Small Signal MOSFET

NTUD3171PZ Small Signal MOSFET −20 V, −200 mA, Dual P−Channel, 1.0 x 1.0 mm SOT−963 Package Features • Dual P−Channel MOSFET • Offers a Low RDS(on) Solution in the Ultra Small 1.0 x 1.0 mm • • • http://onsemi.com Package 1.5 V Gate Voltage Rating Ultra Thin Profile (< 0.5 mm) Allows It to Fit Easily into Extremely Thin Environments such as Portable Electronics. This is a Pb−Free Device V(BR)DSS RDS(ON) MAX 5.0 W @ −4.5 V 6.0 W @ −2.5 V 7.0 W @ −1.8 V 10 W @ −1.5 V
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "3171PZ", "NTUD317"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
NTNUS3171PZ ON Semiconductor
ON Semiconductor

Small Signal MOSFET

NTNUS3171PZ Small Signal MOSFET −20 V, −200 mA, Single P−Channel, 1.0 x 0.6 mm SOT−1123 Package Features • Single P−Channel MOSFET • Offers a Low RDS(on) Solution in the Ultra Small 1.0 x 0.6 mm Package • 1.5 V Gate Voltage Rating • Ultra Thin Profile (< 0.5 m
pdf
NTNUS3171PZT5G ON Semiconductor
ON Semiconductor

Small Signal MOSFET

NTNUS3171PZ Small Signal MOSFET −20 V, −200 mA, Single P−Channel, 1.0 x 0.6 mm SOT−1123 Package Features • Single P−Channel MOSFET • Offers a Low RDS(on) Solution in the Ultra Small 1.0 x 0.6 mm Package • 1.5 V Gate Voltage Rating • Ultra Thin Profile (< 0.5 m
pdf
1N3171 Microsemi Corporation
Microsemi Corporation

(1N3161 - 1N3177) SILICON POWER RECTIFIER

pdf
1N3171 New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Diode Switching 700V 240A 2-Pin DO-9

pdf
2N3171 Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor

Silicon PNP Power Transistor

isc Silicon PNP Power Transistor INCHANGE Semiconductor 2N3171 DESCRIPTION ·Excellent Safe Operating Area ·Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= -0.75V(Max)@ IC = -1A ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliabl
pdf
2N3171 Seme LAB
Seme LAB

Bipolar PNP Device

2N3171 Dimensions in mm (inches). 25.15 (0.99) 26.67 (1.05) 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 6.35 (0.25) 9.15 (0.36) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package. 38.61 (1.52) 39.12 (1.54) 29.9 (1.177) 30.4 (1.197) 16.64 (0.655) 17.15 (0.675
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты