|
NTUD3171PZ даташитФункция этой детали – «Small Signal Mosfet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NTUD3171PZ | ON Semiconductor |
Small Signal MOSFET NTUD3171PZ Small Signal MOSFET
−20 V, −200 mA, Dual P−Channel, 1.0 x 1.0 mm SOT−963 Package
Features
• Dual P−Channel MOSFET • Offers a Low RDS(on) Solution in the Ultra Small 1.0 x 1.0 mm • • •
http://onsemi.com
Package 1.5 V Gate Voltage Rating Ultra Thin Profile (< 0.5 mm) Allows It to Fit Easily into Extremely Thin Environments such as Portable Electronics. This is a Pb−Free Device
V(BR)DSS
RDS(ON) MAX 5.0 W @ −4.5 V 6.0 W @ −2.5 V 7.0 W @ −1.8 V 10 W @ −1.5 V |
Это результат поиска, начинающийся с "3171PZ", "NTUD317" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NTNUS3171PZ | ON Semiconductor |
Small Signal MOSFET NTNUS3171PZ
Small Signal MOSFET
−20 V, −200 mA, Single P−Channel, 1.0 x 0.6 mm SOT−1123 Package
Features
• Single P−Channel MOSFET • Offers a Low RDS(on) Solution in the Ultra Small 1.0 x 0.6 mm
Package
• 1.5 V Gate Voltage Rating • Ultra Thin Profile (< 0.5 m |
|
NTNUS3171PZT5G | ON Semiconductor |
Small Signal MOSFET NTNUS3171PZ
Small Signal MOSFET
−20 V, −200 mA, Single P−Channel, 1.0 x 0.6 mm SOT−1123 Package
Features
• Single P−Channel MOSFET • Offers a Low RDS(on) Solution in the Ultra Small 1.0 x 0.6 mm
Package
• 1.5 V Gate Voltage Rating • Ultra Thin Profile (< 0.5 m |
|
1N3171 | Microsemi Corporation |
(1N3161 - 1N3177) SILICON POWER RECTIFIER |
|
1N3171 | New Jersey Semiconductor |
Diode Switching 700V 240A 2-Pin DO-9 |
|
2N3171 | Inchange Semiconductor |
Silicon PNP Power Transistor isc Silicon PNP Power Transistor
INCHANGE Semiconductor
2N3171
DESCRIPTION ·Excellent Safe Operating Area ·Collector-Emitter Saturation Voltage-
: VCE(sat)= -0.75V(Max)@ IC = -1A ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliabl |
|
2N3171 | Seme LAB |
Bipolar PNP Device 2N3171
Dimensions in mm (inches).
25.15 (0.99) 26.67 (1.05) 10.67 (0.42) 11.18 (0.44)
6.35 (0.25) 9.15 (0.36)
1.52 (0.06) 3.43 (0.135)
Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3
Metal Package.
38.61 (1.52) 39.12 (1.54) 29.9 (1.177) 30.4 (1.197) 16.64 (0.655) 17.15 (0.675 |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |