|
NTMFS4854NS даташитФункция этой детали – «Power Mosfet ( Transistor )». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NTMFS4854NS | ON Semiconductor |
Power MOSFET ( Transistor ) NTMFS4854NS
SENSEFET® Power MOSFET
25 V, 149 A, Single N−Channel, SO−8 FL
Features
• Accurate, Lossless Current Sensing • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low Capacitance to Minimize Driver Losses • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Compliant
Applications
• CPU Power Delivery • DC−DC Converters • Low Side Switching
MAXIMUM RATINGS (TJ = 25°C unless otherwise stated)
Parameter
Symbol Value
Drain−t |
Это результат поиска, начинающийся с "4854NS", "NTMFS485" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N4854 | Microsemi Corporation |
NPN/PNP Silicon Complementary Small Signal Dual Transistor |
|
2N4854 | New Jersey Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.6A 6-Pin TO-78 |
|
2N4854 | Motorola Semiconductors |
COMPLEMENTARY DUAL AMPLIFIER TRANSISTOR MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector-Emitter Voltage Collector 1 to Collector 2 Voltage Voltage Rating any Lead to Case Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
—Collector Current Continuous
@Total Device Dissipation T/ = 25°C
Derate above 25°C
@Total Device Dissipation Tc = 2 |
|
2N4854U | Microsemi Corporation |
NPN/PNP SILICON COMPLEMENTARY SMALL SIGNAL DUAL TECHNICAL DATA
NPN/PNP SILICON COMPLEMENTARY SMALL SIGNAL DUAL TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/421 Devices
2N3838 2N4854 2N4854U
Qualified Level
JAN JANTX JANTXV
MAXIMUM RATINGS Ratings
Collector-Emitter Voltage Collector-Base Voltage Emitter-Base Voltage Collector Curre |
|
2N4854U | ETC |
SURFACE MOUNT NPN/PNP COMPLEMENTARY TRANSISTORS |
|
2SC4854 | Sanyo Semicon Device |
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor Ordering number:EN4579
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
2SC4854
Low-Voltage, Low-Current High-Frequency Amplifier Applications
Features
· Low-voltage, low-current operation : fT=5GHz typ. (VCE=1V, IC=1mA) : S21e2=7dB typ (f=1GHz). : NF=2.6dB typ (f=1GHz).
Package |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |