|
NS4150 даташит PDFЭто 3w Mono Class-d Audio Amplifier. На странице результатов поиска NS4150 Даташиты отображается список соответствующих спецификаций на основе введенного ключевого слова или фразы. Предоставляет подробные спецификации и возможности сравнения, чтобы пользователи могли легко просматривать и выбирать продукты от широкого круга ведущих производителей. |
Показать результаты поиска |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| NS4150 |  Nsiway |
3W mono Class-D audio amplifier 产品简介
NS4150
3W 单声道 D 类音频功放
NS4150 是一款超低 EMI、无需滤波器 3W 单声道 D 类音频功率放大器。NS4150 采 用先进的技术，在全带宽范围内极大地降低了 EMI 干扰，最大限度地减少对其他部件的影 响。 NS4150 内置过流保护、过热保护及欠压保护功能，有效地保护芯片在异常工作状况下 不被损坏。并且利用扩频技术充分优化全新电路设计，高达 90%的效率更加适合于便携式 音频产品。 NS4150 |
 |
Это результат поиска, начинающийся с "4150", "NS4" |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 1N4150 |  NXP Semiconductors |
High-speed diodes DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
M3D176
1N4150; 1N4151 High-speed diodes
Product specification Supersedes data of 1996 Sep 03 1999 Jun 01
Philips Semiconductors
Product specification
High-speed diodes
FEATURES • Hermetically sealed leaded glass SOD27 (DO-35) package |
 |
| 1N4150 |  Vishay Telefunken |
Silicon Epitaxial Planar Diode 1N4150
Vishay Telefunken
Silicon Epitaxial Planar Diode
Features
D Low forward voltage drop D High forward current capability
Applications
High speed switch and general purpose use in computer and industrial applications
94 9367
Absolute Maximum Ratings
Tj = 25_C Parameter Rep |
|
| 1N4150 |  Rectron Semiconductor |
SIGNAL DIODE RECTRO N SEM ICO NDU CTO R
TECHN ICAL SPECIFICATIO N
1N4150
1N4150 SIGNAL DIODE
Absolute Maximum Ratings (Ta=25 ° C) Items Symbol Ratings Unit Reverse Voltage VR 50 V Reverse Recovery trr 4 ns Time Power Dissipation P 500 mW 3.33mW / ° C (25 ° C) Forward Current IF 200 mA Ju |
|
| 1N4150 |  Fairchild Semiconductor |
High Conductance Ultra Fast Diode 1N4150 / FDLL4150
Discrete POWER & Signal Technologies
1N4150 / FDLL4150
COLOR BAND MARKING DEVICE FDLL4150 1ST BAND 2ND BAND BLACK ORANGE
LL-34 DO-35
THE PLACEMENT OF THE EXPANSION GAP HAS NO RELATIONSHIP TO THE LOCATION OF THE CATHODE TERMINAL
High Conductance Ultra Fast D |
|
| 1N4150 |  Diodes Incorporated |
FAST SWITCHING DIODE 1N4150
FAST SWITCHING DIODE Features
· · · · Ideal for Fast Logic Applications Ultra Fast Switching High Reliability High Conductance
A
B
A
Mechanical Data
· · · · · Case: DO-35, Plastic Leads: Solderable per MIL-STD-202, Method 208 Marking: Type Number Polarity: Cath |
|
| 1N4150 |  General Semiconductor |
Small Signal Diodes 1N4150
Small Signal Diodes
DO-35
min. 1.083 (27.5)
FEATURES ♦ Silicon Epitaxial Planar Diode ♦ For general purpose and switching.
max. ∅.079 (2.0)
max. .150 (3.8)
♦ This diode is also available in other
case styles including: the SOD-123 case with the type designation |
|
Последние обновления
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 2N3904 |  Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
| NE555 |  ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
|
введение сайта
|
Мы постоянно отслеживаем и анализируем поведение пользователей и поисковые запросы, чтобы повысить релевантность и точность результатов поиска. Мы отплатим вам лучшими результатами при следующем посещении. |
| DataSheet26.com | 2020 | Контакты |