|
NRVB460MFST3G даташитФункция этой детали – «Switchmode Power Rectifiers». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NRVB460MFST3G | ON Semiconductor |
SWITCHMODE Power Rectifiers MBR460MFS, NRVB460MFS
SWITCHMODE Power Rectifiers
These state−of−the−art devices have the following features:
Features
• Low Power Loss / High Efficiency • New Package Provides Capability of Inspection and Probe After
Board Mounting
• Guardring for Stress Protection • Low Forward Voltage Drop • 175°C Operating Junction Temperature • NRVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
• These are Pb−Free and |
Это результат поиска, начинающийся с "460MFST3G", "NRVB460MFS" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MBR460MFST3G | ON Semiconductor |
SWITCHMODE Power Rectifiers MBR460MFS, NRVB460MFS
SWITCHMODE Power Rectifiers
These state−of−the−art devices have the following features:
Features
• Low Power Loss / High Efficiency • New Package Provides Capability of Inspection and Probe After
Board Mounting
• Guardring for Stress Protection |
|
2SC4603 | Fuji Electric |
Ratigns and Caracteristics of Fuji Power Transistor For more information, contact: Collmer Semiconductor, Inc. P.O. Box 702708 Dallas, TX 75370 972-233-1589 972-233-0481 Fax http://www.collmer.com
|
|
2SC4603 | New Jersey Semi-Conductor |
TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE Free Datasheet http:///
|
|
2SC4603R | Fuji Electric |
Ratigns and Caracteristics of Fuji Power Transistor |
|
2SC4603R | Inchange Semiconductor |
Silicon NPN Power Transistor INCHANGE Semiconductor
isc Product Specification
isc Silicon NPN Power Transistor
2SC4603R
DESCRIPTION ·High Collector-Emitter Breakdown Voltage: V(BR)CEO= 800V(Min.) ·High Switching Speed ·High Reliability
APPLICATIONS ·Switching regulators ·Ultrasonic generators ·Hig |
|
AO4603 | Alpha & Omega Semiconductors |
Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor AO4603 Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
General Description
The AO4603 uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |