DataSheet26.com


NGB15N41CL даташит

Функция этой детали – «Ignition Igbt».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
NGB15N41CL ON Semiconductor
ON Semiconductor
  Ignition IGBT

NGD15N41CL, NGB15N41CL, NGP15N41CL Preferred Device Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts N−Channel DPAK, D2PAK and TO−220 This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Over−Voltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and high current switching is required. Features http://onsemi.com 15 AMPS 410 VOLTS VCE(on) 3 2.1 V @ IC = 10 A, VGE . 4.5 V C �
pdf
NGB15N41CLT4 ON Semiconductor
ON Semiconductor
  Ignition IGBT

NGD15N41CLT4, NGB15N41CLT4, NGP15N41CL Preferred Device Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts N−Channel DPAK, D2PAK and TO−220 This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Over−Voltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and high current switching is required. • Ideal for Coil−on−Plug Applications • DPAK Package Offers
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты