|
NGB15N41CL даташитФункция этой детали – «Ignition Igbt». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NGB15N41CL | ON Semiconductor |
Ignition IGBT NGD15N41CL, NGB15N41CL, NGP15N41CL
Preferred Device
Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts
N−Channel DPAK, D2PAK and TO−220
This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Over−Voltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and high current switching is required.
Features http://onsemi.com
15 AMPS 410 VOLTS VCE(on) 3 2.1 V @ IC = 10 A, VGE . 4.5 V
C
� |
|
NGB15N41CLT4 | ON Semiconductor |
Ignition IGBT
NGD15N41CLT4, NGB15N41CLT4, NGP15N41CL
Preferred Device
Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts
N−Channel DPAK, D2PAK and TO−220
This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Over−Voltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and high current switching is required. • Ideal for Coil−on−Plug Applications • DPAK Package Offers |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |