|
NCE15GD120T даташитФункция этой детали – «Trench Npt Igbt». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NCE15GD120T | NCE Power Semiconductor |
Trench NPT IGBT http://www.ncepower.com
NCE15GD120T
1200V, 15A, Trench NPT IGBT
Features
z Trench NPT( Non Punch Through) IGBT z High speed switching z Low saturation voltage: VCE(sat)=2.0V@IC=15A z High input impedance
Applications
z Inductive heating, Microwave oven, Inverter, UPS, etc. z Soft switching applications
General Description
Using advanced Trench NPT technology, NCE’s 1200V IGBTs offers superior conduction and switching performances, and easy parallel operation with exceptional avalanche ruggedness. This device is design |
Это результат поиска, начинающийся с "15GD120T", "NCE15GD1" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
828315120000x | Kyocera |
(8283 Series) Plug Straight w
w
w
.D
at aS
he
et 4U .c
om
|
|
C4D15120A | Cree |
Silicon Carbide Schottky Diode C4D15120A–Silicon Carbide Schottky Diode
Z-Rec™ Rectifier
Features
VRRM =
1200 V
IF TC<135˚C = 20 A Qc = 96 nC
Package
• • • • •
1.2kV Schottky Rectifier Zero Reverse Recovery Current High-Frequency Operation Temperature-Independent Switching Ex |
|
HUR15120 | Sirectifier Semiconductors |
(HUR15100 / HUR15120) High-Performance Wide Temperature Range Ultra Fast Recovery Epitaxial Diode HUR15100, HUR15120
High-Performance Wide Temperature Range Ultra Fast Recovery Epitaxial Diode
Dimensions TO-220AC A C(TAB) A C C
Dim. A B C D E F G H J K L M N Q
A=Anode, C=Cathode, TAB=Cathode VRSM V 1000 1200 VRRM V 1000 1200
HUR15100 HUR15120
Inches |
|
MD5-15120AS-AA-CV | Transmotec |
DC Motor M_5-AA s eries Ø27.5 mm 10-21 W
MODEL NO. DESIGNATIONS
MOTOR DATA Part name Diameter (mm) Lenth (mm) Nominal voltage (V) Nominal speed (rpm) Nominal torque (mNm) Nominal current A No load speed (rpm) No load current A Stall torque (mNm) Starting current (A) Output (W) Effici |
|
MUR15120 | Sirectifier |
Ultra Fast Recovery Diodes MUR15120
Ultra Fast Recovery Diodes
Dimensions TO-220AC A C(TAB) A C C
Dim. A B C D E F G H J K L M N Q
A=Anode, C=Cathode, TAB=Cathode
MUR15120
VRSM V 1200
VRRM V 1200
Inches Min. Max. 0.500 0.580 0.560 0.650 0.380 0.420 0.139 0.161 2.300 0.420 0.100 0.135 0.045 0.070 0.25 |
|
NCE15GD120P | NCE Power Semiconductor |
Trench NPT IGBT http://www.ncepower.com
NCE15GD120P
1200V, 15A, Trench NPT IGBT
Features
z Trench NPT( Non Punch Through) IGBT z High speed switching z Low saturation voltage: VCE(sat)=2.0V@IC=15A z High input impedance
Applications
z Inductive heating, Microwave oven, Inverter, UPS, etc. z Soft |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |