DataSheet26.com


NCE1012E даташит

Функция этой детали – «N-channel Enhancement Mode Power Mosfet».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
NCE1012E NCE Power Semiconductor
NCE Power Semiconductor
  N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

http://www.ncepower.com Pb Free Product NCE1012E NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE1012E uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features ● VDS = 20V,ID =0.6A RDS(ON) <350mΩ @ VGS=4.5V RDS(ON) <500mΩ @ VGS=2.5V ● High power and current handing capability ● Lead free product is acquired ● Gate-S
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "1012E", "NCE10"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
FFB1012EHE Delta
Delta

100 x 100 x 38 MM SERIES DC FAN

New FFB 100 x 100 x 38 MM SERIES DIMENSIONS DRAWING * Bearing Type Ball Bearings * Material Impeller & Frame : Plastic (UL 94V-0) * Lead Wires : UL 1430 AWG #22 OR Equivalent Red Wire Positive (+) Black Wire Negative (-) * Weight : 350g (12.34 oz) Air Pressure (IN H2O) (mm H2
pdf
WD1012EA-5 WillSEMI
WillSEMI

600mA Synchronous Step-Down Regulator

WD1012EA-5/TR 1.5MHz, 600mA Synchronous Step-Down Regulator in SOT General Description The WD1012EA is a high efficiency monolithic synchronous buck regulator using a constant frequency, current mode architecture. The 2.7V to 5.5V input voltage range makes the WD1012EA ideally
pdf
10123 Philips
Philips

Bus Driver

pdf
10124 Philips
Philips

Translator / Quad TTL-to-ECL Transistor

pdf
10129 Philips
Philips

Quad TTL to ECL Transistor

pdf
2SA1012 Mospec Semiconductor
Mospec Semiconductor

POWER TRANSISTORS(5A/50V/25W)

A A A
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты