|
NAS1157 даташитФункция этой детали – «Screw / Head». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NAS1157 | AIA |
Screw / Head |
Это результат поиска, начинающийся с "1157", "NAS1" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
11577-11 | Rockwell |
Digital Correlator
Construction Analysis
Rockwell 11577-11 Digital Correlator
Report Number: SCA 9707-546
n Servi g the G lo b
a
e lS
miconductor
In
d
us
try
17350 N. Hartford Drive Scottsdale, AZ 85255 Phone: 602-515-9780 Fax: 602-515-9781 e-mail: [email protected] Inte |
|
2SB1157 | SavantIC |
SILICON POWER TRANSISTOR SavantIC Semiconductor
Product Specification
Silicon PNP Power Transistors
2SB1157
DESCRIPTION ·With TO-3PFa package ·Complement to type 2SD1712 ·High fT ·Wide area of safe operation APPLICATIONS ·For high power amplifier applications
PINNING PIN 1 2 |
|
2SC1157 | SavantIC |
SILICON POWER TRANSISTOR SavantIC Semiconductor
Product Specification
Silicon NPN Power Transistors
2SC1157
DESCRIPTION ·With TO-202 package ·High transition frequency ·Complement to type 2SA647 APPLICATIONS ·For power amplifier switching applications
PINNING(see Fig.2) PIN 1 |
|
2SD1157 | Fuji Electric |
TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE HIGH SPEED SWITCHOING Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com
|
|
2SD1157 | Inchange Semiconductor |
Silicon NPN Power Transistor INCHANGE Semiconductor
isc Product Specification
isc Silicon NPN Power Transistor
2SD1157
DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage: V(BR)CEO= 50V(Min) ·High DC Current Gain: hFE= 250V(Min.) @IC= 0.5A ·Low Collector Saturation Voltage ·High Reliability
APPLICATION |
|
2SK1157 | Hitachi Semiconductor |
Silicon N-Channel MOS FET 2SK1157, 2SK1158
Silicon N-Channel MOS FET
Application
High speed power switching
Features
• • • • • Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable for switching regulator, DC-DC converter and motor driver
Outline
TO-220AB
|
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |