|
NAS1154 даташитФункция этой детали – «Screw / Head». |
Показать результаты поиска |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| NAS1154 |  AIA |
Screw / Head |
 |
Это результат поиска, начинающийся с "1154", "NAS1" |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 2SB1154 |  Panasonic Semiconductor |
Silicon PNP epitaxial planar type(For power switching) Power Transistors
2SB1154
Silicon PNP epitaxial planar type
For power switching Complementary to 2SD1705
Unit: mm
s Features
q q q q
16.2±0.5 12.5 3.5 Solder Dip
s Absolute Maximum Ratings
Parameter Collector to base voltage Collector to emitter voltage Emitter to base volta |
 |
| 2SB1154 |  SavantIC |
SILICON POWER TRANSISTOR SavantIC Semiconductor
Product Specification
Silicon PNP Power Transistors
2SB1154
DESCRIPTION ·With TO-3PFa package ·Complement to type 2SD1705 ·Low collector saturation voltage ·Satisfactory linearity of hFE APPLICATIONS ·For power switching applica |
|
| 2SD1154 |  ETC |
Si NPN Epitaxial Free Datasheet http:///
Free Datasheet http:///
|
|
| 2SD1154 |  Inchange Semiconductor |
Silicon NPN Power Transistor INCHANGE Semiconductor
isc Product Specification
isc Silicon NPN Power Transistor
2SD1154
DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage: V(BR)CEO= 200V (Min) ·Wide Area of Safe Operation
APPLICATIONS ·Designed for horizontal deflection output for B/W TV set.
ABSOLUTE |
|
| 2SK1154 |  Hitachi Semiconductor |
Silicon N-Channel MOS FET 2SK1153, 2SK1154
Silicon N-Channel MOS FET
Application
High speed power switching
Features
• • • • • Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable for switching regulator and DC-DC converter
Outline
TO-220AB
D G
1
2
3 1 |
|
| 74ACT11543 |  Texas Instruments |
Octal Registered Transceiver With 3-State Outputs |
|
[1]
Последние обновления
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 2N3904 |  Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
| NE555 |  ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
|
| DataSheet26.com | 2020 | Контакты |